多值存储相关论文
相变存储器被视作下一代非易失性半导体存储器的有力竞争者,相比于现有的存储技术来说具有很多优势:非易失性、高存储密度、低功耗......
相变存储器（PCRAM）由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点，成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半......
铁电场效应晶体管（FeFET）是一种基于铁电材料自发极化特性的新型非易失性存储器,具有低功耗、非破坏性读出和读写速度快等优点。基于......
近年来人工智能技术飞速发展,传统计算机架构已不能很好地满足高效率、低功耗的要求;研发基于新型非易失性存储技术的类脑神经元计......
阻变存储器（RRAM）因其结构简单、低功耗、高开关速度和良好的微缩性成为下一代最有前景的非易失性存储器,其中氧化铪阻变存储器具有......
大数据时代需要存储和处理的数据量呈现爆发式增长,而传统基于浮栅结构的存储器和基于冯.诺依曼构架的计算器已经达到技术瓶颈,发......
随着半导体集成电路产业的发展，异质集成技术极大地增加了结构的集成度。然而，自热效应和外界复杂电磁环境效应都会导致异质功能结构......
在信息全球化的时代,数据作为信息的载体,需要被存储起来再转发出去。随着经济的增长,各种电子设备应运而生,需要存储的数据量越来......
随着信息化时代半导体产业的发展,人们对各种电子产品,特别是信息存储产品的需求呈现高速上升趋势。目前市场上最主流的存储器是基......
近年来,随着各种智能电子设备,物联网以及人工智能的发展,非易失性存储器市场不断扩大。基于电荷存储的闪存是非易失性存储器市场......
基于氧化物薄膜的阻变随机存储器（resistance random access memory,RRAM）作为下一代非易失性存储器的有力竞争者,尽管表现出了结构......
SrBi2Ta209(SBT)材料是一种类钙钛矿结构的铁电材料,具有优异的抗疲劳特性,且不含铅等重金属,对环境无污染;同时,SBT材料作为一种......
随着微电子集成技术的不断发展,当前主流的非易失性存储技术——基于电荷存储的Flash存储器遭遇到了抗疲劳特性差、访问速度慢和操......
本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。在评估了相变单元多值存......
基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可......
相变随机存储器是一种电阻式存储器，它以硫属化合物为储存介质，利用电流产生的热量使材料在晶态（低阻相）与非晶态（高阻相）之间相互转换实......
随着大数据时代的来临,存储器是保证计算机进行信息处理和记忆任务的关键。在各种类型的存储器中,浮栅型存储器集成工艺简单、电荷......
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目前主流的Flash存储器已经达到了其尺寸缩减的极限,为解决这一问题提出了很多新型非易失性存储器,在众多新型非易失性存储器中,阻......
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结......
近年来,随着智能手机,数码相机,平板电脑,移动存储设备等便携式电子产品的普及和不断发展,非易失性存储器市场不断扩大。基于电荷......
多铁性铁酸铋(BiFeO3,简称BFO)材料是目前唯一在室温同时具有铁电和铁磁性的多铁性材料,具有优异的铁电和磁电耦合特性,在新型非挥......
随着超大规模集成电路的发展，集成电路的特征尺寸越做越小，我们常用的Flash存储器，由于尺寸缩小后电荷泄露，正遇到技术瓶颈。阻变存储......
忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文......
提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低......
