多值存储相关论文
相变存储器被视作下一代非易失性半导体存储器的有力竞争者,相比于现有的存储技术来说具有很多优势:非易失性、高存储密度、低功耗......
相变存储器（PCRAM）由于高速、高密度、低功耗及可持续微缩等优点，成为新型半导体存储器的研究热点。本文采用磁控溅射的方法和标准半......
铁电场效应晶体管（FeFET）是一种基于铁电材料自发极化特性的新型非易失性存储器,具有低功耗、非破坏性读出和读写速度快等优点。基于......
近年来人工智能技术飞速发展,传统计算机架构已不能很好地满足高效率、低功耗的要求;研发基于新型非易失性存储技术的类脑神经元计......
阻变存储器（RRAM）因其结构简单、低功耗、高开关速度和良好的微缩性成为下一代最有前景的非易失性存储器,其中氧化铪阻变存储器具有......
大数据时代需要存储和处理的数据量呈现爆发式增长,而传统基于浮栅结构的存储器和基于冯.诺依曼构架的计算器已经达到技术瓶颈,发......
如今,非挥发性快闪存储器已广泛应用于各种便携式电子产品,增加存储容量和降低生产成本成为了快闪存储器发展的目标.然而当存储单......
随着半导体集成电路产业的发展，异质集成技术极大地增加了结构的集成度。然而，自热效应和外界复杂电磁环境效应都会导致异质功能结构......
在信息全球化的时代,数据作为信息的载体,需要被存储起来再转发出去。随着经济的增长,各种电子设备应运而生,需要存储的数据量越来......
随着信息化时代半导体产业的发展,人们对各种电子产品,特别是信息存储产品的需求呈现高速上升趋势。目前市场上最主流的存储器是基......
近年来,随着各种智能电子设备,物联网以及人工智能的发展,非易失性存储器市场不断扩大。基于电荷存储的闪存是非易失性存储器市场......
基于氧化物薄膜的阻变随机存储器（resistance random access memory,RRAM）作为下一代非易失性存储器的有力竞争者,尽管表现出了结构......
设计了一种运用互补单元,三极管作为选通管的2B2R结构,并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性,采用全新的以比值定义状态的存......
SrBi2Ta209(SBT)材料是一种类钙钛矿结构的铁电材料,具有优异的抗疲劳特性,且不含铅等重金属,对环境无污染;同时,SBT材料作为一种......
随着特征尺寸不断缩小，基于浮栅结构的闪存存储器件尺寸持续缩小遇到了很大挑战。阻变存储器(RRAM)因其具有结构简单、可高密度集成......
Flash存储器由于其面积小、编程擦除操作灵活、非易失性而得到广泛的应用，在存储器市场中占据着越来越大的比例。随着人们对便携电......
快闪(Flash)存储器因为其具有的读写速度快、集成度高、可靠性高、能耗低等优点，在存储器体系中具有越来越重要的地位，并被广泛应用......
本文对相变存储器小尺寸下高密度的多态存储方案与高可靠性设计进行了研究。文章提出了一种全新的状态定义，并基于此定义和相变材料......
随着目前非挥发存储器的主要代表Flash在存储器市场大行其道，作为下一代非挥发存储器的候选者们也成为了人们当前关注的焦点之一。......
存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(Dynamic Random．AccessMemory)和FLASH两种就占市场的15％，随着便携式电子设备的不断普及，......
本文以下一代非挥发存储器的高密度解决方案为中心,针对相变存储器和阻变存储器分别进行了探索性的研究。在评估了相变单元多值存......
提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统“高阻态”和“......
日本松下电器产业公司已研制成耗散功率为以前1/100超节能的单片量子Si存储器。采用MOSFET制造工艺和在相同条件下可制作Si量子器......
相变随机存储器是一种电阻式存储器，它以硫属化合物为储存介质，利用电流产生的热量使材料在晶态（低阻相）与非晶态（高阻相）之间相互转换实......
提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统“高阻态”和“......
设计了一种运用互补单元，三极管作为选通管的282R结构，并利用相变存储电阻存在三态稳定阻值的特性，采用全新的以比值定义状态的存储方......
基于相变存储器（PCM）已有的2T2R结构，提出一种以比值为导向的状态定义方法，以实现2T2R结构下PCM的多值存储．它在相变电阻具有4态可编写......
随着大数据时代的来临,存储器是保证计算机进行信息处理和记忆任务的关键。在各种类型的存储器中,浮栅型存储器集成工艺简单、电荷......
随着闪存技术即将达到尺寸极限而面临无法等比例缩小的问题,一种基于材料电阻转变特性的电阻式存储器(RRAM)由于其结构简单、可缩......
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目前主流的Flash存储器已经达到了其尺寸缩减的极限,为解决这一问题提出了很多新型非易失性存储器,在众多新型非易失性存储器中,阻......
阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结......
近年来,随着智能手机,数码相机,平板电脑,移动存储设备等便携式电子产品的普及和不断发展,非易失性存储器市场不断扩大。基于电荷......
半导体器件的尺寸随着摩尔定律的不断缩小是支撑集成电路和信息技术快速发展的原动力。但当前主流的非挥发性存储技术——基于电荷......
多铁性铁酸铋(BiFeO3,简称BFO)材料是目前唯一在室温同时具有铁电和铁磁性的多铁性材料,具有优异的铁电和磁电耦合特性,在新型非挥......
忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文......
提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低......
