器件材料相关论文
新一代高速光通信网络的城/局域网迫切需要低成本、低功耗、高性能长波长半导体激光发射光源.可是,目前市场上主流的光通信用长波......
本文介绍了敏感器件材料的发展情况,其中包括半导体材料、半导体陶瓷材料、有机材料、生化材料及超导材料等敏感器件材料。
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日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(c-BN)的最新技术成果,成功地制造了世界上第一个能在650℃温度下稳......
给出了研制的1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结......
电焊机空载自停装置方式很多,倘若结构复杂,不但装置要消耗电能,而且使成本提高,维修麻烦,削弱节电效果。笔者利用交流接触器、闸......
离子注入技术作为一种新兴的材料表面改性手段,得到普遍的重视和迅速的发展。本文着重介绍了在提高惯性器件和轴承材料表面硬度、......
2012年8月29日,在众多单位的支持下,由中国电源学会元器件专业委员会主办, 《电子元器件应用》编辑部、元器件新干线网承办的“20......
由于GaN材料的高的饱和电子速度和击穿场强,GaN基HEMT已经成为实现毫米波器件的重要选择。回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程......
文章综述了光电子材料技术的发展梗概,通过对比分析,从发展趋势上论述了MOVPE法在生产光电子技术功能材料方面的进展。尤其进入90年代中期以......
金属基磁致伸缩材料作为一种重要的功能器件材料,受到人们的广泛关注。主要从原料母材的熔炼工艺、合金成分组成、后续加工及热处......
开发和研究具有高介电常数、低漏流和高击穿电压的功能器件对栅极介电薄膜材料和高电子传输二极管等电子器件材料具有重要的意义。......
诸如索引卡片的存放柜,可以在每个行政机关里被看到;但是循环仓库也可以被做成很大的设备,用于存放诸如工业模具等货物。尽管这个......
一、引言砷化镓微波振荡器实现的可能性不仅依赖于器件材料和电路,而且依赖于不断变化的器伴与电路的相互作用的界面。在低的占空......
本文涉及碲镉汞的生长。特别提到降低碲镉汞的组分梯度。(Hg,Cd)Te是由宽禁带半导体(E_g=1.6电子伏)碲化镉和具有“负能带”约-0.......
两类a-Si:H膜的测量表明:高温样品的光电导较大;低温样品的光暗比较大,г值接近1,瞬态响应速度较快。光电导性的差异决定了它们的......
人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.......
高质量的硅量子线日本松下电器产业半导体研究中心,应用以前的超LSI制作技术已成功形成硅量子线。在世界上最早做到线宽为10urn的硅量子线,为......
提出了一种考虑温度影响的基于光子晶体的微压力传感器,传感器由微压力传感和温度传感两部分构成,其中微压力传感部分测量的是所处......
ZnS:Cr<sup>2+</sup>半导体是重要的光——电器件材料。由于Zn离子处在四硫配位的D畸变四面体位置,所以许多工作企图用D四面体模型......
<正>可逆单分子光电子开关器件北京大学化学与分子工程学院郭雪峰课题组联合美国宾夕法尼亚大学Abraham Nitzan教授课题组、北京大......