器件制造相关论文
在碳化硅(SiC)器件制造技术中光刻工艺是一个影响其他工艺宽容度的关键工艺，由于厚层介质掩膜在SiC器件中的重要作用，在小台面完成并......
本文首先分析了铝丝的可键合性,为制定键合工艺及提高铝丝键合的可靠性提供理论依据.同时,通过SEM和EDS等测试手段,分析了铝丝键合......
电子束光刻系统具有很高的电子扫描成像精度,是实验室条件下进行纳米加工不可缺少的工具,在应用于微、纳米加工中需要解决几个关键......
印刷电子是当前得到快速发展的新兴领域,主要通过各种传统印刷技术为大面积、柔性、透明、轻质、环保和低成本的电子产品开辟器件......
《中图法》的使用方法（续完）卞宣（本刊编辑部）５．５．９ＴＮ无线电电子学、电信技术本类概括为两部分：ＴＮＯ／７无线电电子学基本理论、技术和器件制造；ＴＮ８／９９电子技术......
电气化学学会电子材料委员会于6月12日在大贩国际交流中心召开了第52次半导体集成电路技术座谈会。讨论了与硅化合物半导体等有关......
由于全球竞争的日益激烈和目前市场的不景气现状,到2000年日本在世界半导体市场中所占的份额将从目前的33%降至25%。尽管如此,日......
台湾工业技术研究院电子工业研究所(简称工研院电子所——EPSO/ITRI)成立于1974年。该所成立多年来一直从事微电子器件的新技术、......
目前市售SiC材料的最大直径仅为3英寸,而且SiC材料还有缺陷,限制了它在元器件方面的应用。微管缺陷是SiC体材料较大缺陷,它看上去......
绝缘体上硅芯片 (SOI)是将绝缘层嵌入到晶圆中,用于IC和微芯片制造的半导体制造技术。在有效减少电气损耗的同时,嵌入的绝缘层显著......
据《科技开发动态》2004年第2期报导,该发明为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺,属于微电子器件制造技术范围。该工艺和......
吉林华微电子股份有限公司主营半导体分立器件设计、芯片加工、封装及销售,为国家级高新技术企业,是中国最大的功率半导体分立器件......
WJ Communication新近推出了一种新的高线性宽带放大器。其型号为SCG002的这种宽带放大器是其高可靠性、低成本增益锁定放大器系列......
在SID’04的展览会上,三分之一的内容与设备或材料供应商有关,故器件制造是该展览会上人们交谈的主题。
One-third of the conten......
Axcelis技术公司推出可用于大流量注入及亚65nm器件制造的OptimaHD离子注入机。这种新型低能大剂量离子注入系统可提供200eV至80ke......
1．趋势与展望Outlook and Future2．业界访谈Enterprise Interview3．现代管理Modem Management4．器件制造与应用Manufacturing and Appl......
据日刊〈稀有金属新闻〉报道,被称为高速增长产业冠军的硅产业出现短时的供给过剩。但由于出现产品的高质量竞争而使成本提高,又......
近年来,称之为OA·FA·LA的自动化,以电子器件、电子仪器工业为中心,正在各个领域里迅速发展着。 NSK精密定位工作台作为上述电子......
欧盟委员会28日宣布,欧盟主持的迄今最大规模的科研竞赛决出最终获胜者,石墨烯入选“未来新兴旗舰技术项目”。该计划将在未来10年......
超微晶（即纳米晶）合金薄带是新一代软磁材料。它具有高μ、高Ｂｓ、低Ｐｃ和低Ｈｃ的特点，其４００Ｈｚ，Ｂ＝１．０Ｔ的铁心损耗仅为优质冷轧硅钢的１／３０，约０．２５Ｗ／ｋｇ，饱和磁感为１２Ｔ，μ０达１０５，电磁......
在MOS器件制造的初期,发现经加温和电场的作用后,器件的阀值电压会发生漂移,实验证明这是栅氧化层中(?)污了钠离子。正是磷硅玻璃......
对低剂量离子注入,用C-V测量方法进行注入分布和剂量的检测。可作为器件制造的分析和工艺监控。报告介绍了测量原理、方法和典型结......
本文提出了用连续电子束对硼离子注入硅后进行退火的实验偿试,分析了连续电子束退火的一些优点,并指出了它在器件制造工艺中应用的......
日电东芝情报系统,是日本超大规模集成电路研究机构之一。它采用全干法腐蚀1微米工艺试制成功了1K位静态RAM,这一研究结果已在今......
由微处理机控制的仪器在精度、多功能性和分析能力方面均优于其对应的模拟计算部件。本文所介绍的仪器可完成器件制造者在前道工艺......
适当控制基区的杂质分布,可以获得性能优越的超增益器件。我们据此进行批量生产的超增益器件,在I_C=10μA,V_(CB)=6V条件下,NPN型......
半导体片状器件制造的最后工艺是划片。这道工艺虽然仅仅是分割片子,但却是极其重要的。(1)合格芯片有变成次品的可能。(2)为了将......
本文简单地介绍了在国内我们最早开展的 GaAs 中 S~+、O~+、Si~+等离子注入的研究及其在研制 GaAsMES FET 系列中的应用情况。着重......
半导体工业就其整个经济动向来看时起时伏,但总的来说还是不断向前发展的。予计在今后5年间将增长两倍左右。发展的中心是集成电......
在N型硅片上利用B_2O_3作杂质源扩散形成P—N结时,如果扩散温度高,扩散时间长,则硅表面上将生成一薄层蓝色或深褐色的表面膜,仅用......
芯片键合是指将划片分割后的半导体芯片粘结到管座或引线框架上去的装片工序。随着半导体器件制造的迅速发展,越来越迫切地要求改......
试验了四十多种腐蚀剂,给出了其中十六种对InP(100)的腐蚀结果.有的已在InP Gunn器件制造工艺中应用.其中有六种未见报导.叙述了两......
通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落......
本文叙述了液相外延的简单理论及其生长工艺.稳态生长和瞬态生长中的三种冷却技术都是以生长速率取决于溶质向界面的扩散快慢为依......
本文用电子顺磁共振(EPR)测量了离子注入a-Si:F中悬键密度随退火温度变化的关系。总吸收率A的最小值用同一退火方法所测得的室温电......
集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率......
对于目前和今后的某些器件制造工艺来说,高能(MeV)离子注入都显示出常规工艺所没有的优越性。
For some device manufacturing pr......
一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的......
面对世界半导体工业的现状及其迅猛发展的趋势,我国从事半导体研究和生产的科学家和工程技术人员,应当总结过去的经验,吸取教训,仔......
