为了进一步降低结势垒肖特基二极管(JBS,Junction Barrier Schottky diode)的门限电压,本文提出了一种新型SiC二极管结构,改JBS阳极处的金半接触为欧姆接触,取消了JBS肖特基势垒高度对门限电压的制约,可以实现比JBS更低的门限电压。采用商用 Silvaco软件对该新型二极管开展结构尺寸和材料参数优化设计工作,并定制了器件的工艺流程。论文的主要结果如下:　　1.提出这种新型SiC二极管结构。理论分析了该新型SiC二极管的工作原理、电学特性以及影响其特性的关键结构参数。　　2.采用模拟法完成了新型SiC二极管结构和材料参数的优化。获得的优化参数为:器件总宽度lμm;外延层总厚度12.4μm;n+沟道区域掺杂浓度1.5×1017CIIl-3、厚度1.4μm;导电沟道区宽度0,26μm、沟道区长度1.2μun;n’漂移区厚度llμm、掺杂浓度lXl016Cm-3; p+阱区掺杂浓度2xl018Ccm-3; n++欧姆接触区掺杂浓度2×l020Cm-3。使这种新型SiC二极管获得o.5v的低门限电压,同时反向耐压可以达到1275V。　　3.初步设计了器件制造的工艺流程。对器件制造的主要步骤,以及外延生长、刻蚀、离子注入等工艺的详细流程进行了设计,为今后器件的制造打下了基础。