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[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：稀有金属 年份：1995
硅片表面状态与机械强度谢书银，石志仪（中南工业大学４１００８３）关键词：硅片，化学腐蚀，表面损伤，抗弯强度，表面处理（一）前言半导体器件所用的研磨硅片在器件生产过程中都有一定程度的破碎，尤其是当...
[期刊论文] 作者：谢书银,,
来源：湖南冶金 年份：1982
一、引言锗单晶中的位错对材料的电学性质和器件的参数影响很大。位错使品格畸变,改变了能带位置,影响载流子复合过程。刃位错的悬空键产生受主能级相当于一个半径为3.4×10...
[期刊论文] 作者：谢书银,
来源：电力电子技术 年份：1999
按照电化学原理分析硅片化学腐蚀过程，阐述了择优与非择优腐蚀的机理，研究了一套硅片化腐新工艺。这些工艺在电力半导体器件生产中得到了成功的应用。...
[期刊论文] 作者：谢书银,,
来源：稀有金属 年份：1985
一、引言半导体硅器件,特别是大、中规模集成电路,除要求硅片具有一定的电学性能,还要求晶体完整、表面禾损伤、具有一定的机械强度。硅片的强度不仅与单晶生长条件及热处理...
[期刊论文] 作者：谢书银,
来源：稀有金属 年份：1985
一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的热处理过程中,产生堆垛层错、位错环和硅氧沉...
[期刊论文] 作者：谢书银,万关良,
来源：稀有金属 年份：1998
通过１２００℃，１．５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热自理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原胶位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。......
[期刊论文] 作者：石志仪,谢书银,
来源：稀有金属 年份：1993
用测试抗弯强度的方法测定了氮气氛下直拉硅(NCZ-Si)棒轴向机械强度分布。与红外分析结果比较表明,含氮 CZ-Si 中 N-N 对的浓度对硅棒强度分布起着比间隙氧更重要的作用。碳...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体学报 年份：1995
研究了硅片抗变强度，提出了一种圆片冲击宣测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．...
[期刊论文] 作者：谢书银,张维连,
来源：半导体学报 年份：1997
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的，高温翘曲主与弯曲率与抗弯强度有内在联系，抗弯强度不仅表示硅片在常温下的......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：力学学报 年份：1995
提出了一种新的使用圆片试样及冲击加载的硅片抗变强度测试方法，结合动能定理和薄板不挠度理论推导了变强度的计算公式，测试结果准确，精度好。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体技术 年份：1998
根据动能定量和薄板理论提出了一种新的脆性材料强度测试方法－－圆片冲击法。通过当硅较薄时偏离小挠度条件的实验校准，使该方法适用于各种厚度硅片的强度测量，进而制 硅片抗弯强......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体技术 年份：1997
通过硅片高温热处理实验研究了热自理工艺和表面状态对硅片高温弯曲度变化的影响，高温工艺中坚直装片引起的形变较小，研磨硅片经过适当化学腐蚀可明显降低高温翘曲。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：半导体技术 年份：1995
通过测定滚圆前后硅后强度变化，并结合扫描电镜观察，研究了滚圆在硅片表面造成的损伤及对抗变强度的影响，提出了消除影响使强度恢复的简单方法。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中国有色金属学报 年份：1997
研究了热处理温度、时间及降温方式对不同氧、氮含量的氩气氛直拉硅及氮气氛直拉硅抗弯强度的影响规律。结果表明：硅氧络合物和氮硅氧络合物的生成使抗弯强度提高，沉淀的形成使......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中南工业大学学报 年份：1995
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中南工业大学学报 年份：1996
推导了圆片冲击法测试硅片抗弯强度时最大挠度的计算公式．通过薄硅片抗弯强度的测试实验，对因不符合小找度假设产生的误差进行了实验校准，并研究了挠度、厚度比ω／δ与校准系数Ｋ的......
[期刊论文] 作者：谢书银,王红忠,
来源：中南工业大学学报 年份：1997
分析了圆片冲击法硅片强度测试中简支半径对动载荷挠度及强度测试值的影响，实验求得直径５０．８ｍｍ硅片抗弯强度测试值的校正系数为０．８。...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：中国有色金属学报 年份：1996
提出了利用直拉硅中与氮有关的特征红外吸收峰９６３、９９６、１０８１及１０２７ｃｍ＾－１确定直拉硅中氮含量的计算公式，并进行了多种样品实测。该法克服了只用９６３ｃｍ＾－１峰测定直接硅中氮使结果偏低的弊病，方法相对偏差为５－２０％。......
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,
来源：稀有金属 年份：1987
采用氧含量不同的直拉和区熔硅单晶,进行三点弯法测抗弯强度,研究硅中氧含量对硅片强度的影响。The Czochralski method was used to measure the flexural strength of Cz...
[期刊论文] 作者：谢书银,石志仪,,
来源：稀有金属 年份：1982
直拉“111”锗单晶生长界面棱线处过冷度较大,容易形成偏离原晶向的稳定晶核,而且生成与生长轴成19°28＇双晶需要能量小,并更有利于“111”密排面优先扩展。所以在过冷度最大...
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