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本文制备了采用镍作为肖特基接触形成的MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了在不同的偏压下其光电特性.结果表明,该探测器的暗电流非常小,在偏压为15V的时候,漏电流密度约为70nA/cm2,光电流比暗电流高约2个数量级,其光谱响应表明,其最高光谱响应与380nm的比值约为1000倍,说明该探测器具有良好的紫外可见比.