【摘 要】
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在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超品格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量.结合原子力显微镜对两组超晶格样品进行了表面起伏及表面粗糙度的测试和表征,结果发现:50周期InAs(10 ML)/GaSb(10 ML)超品格样品比短周期和非对称超晶格样品的表面起伏更小,表面粗糙度更低;随着超晶格样品生长周期的递增,摇摆曲线上1级衍射峰的半峰全宽显著减小,样
【机 构】
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长春电子科技学院光电科学学院,吉林长春130022;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022
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在GaSb(100)衬底上利用分子束外延技术生长了InAs/GaSb超品格结构,利用高分辨X射线衍射方法对其进行分析,得到了摇摆曲线上的卫星峰个数、半峰全宽、衍射峰的强度和位置等信息,计算得到了超晶格材料的界面应变、失配和周期等参量.结合原子力显微镜对两组超晶格样品进行了表面起伏及表面粗糙度的测试和表征,结果发现:50周期InAs(10 ML)/GaSb(10 ML)超品格样品比短周期和非对称超晶格样品的表面起伏更小,表面粗糙度更低;随着超晶格样品生长周期的递增,摇摆曲线上1级衍射峰的半峰全宽显著减小,样品表面的起伏和连续性得到改善,50周期对称超晶格样品的均方根表面粗糙度可以减小到0.31 nm,摇摆曲线上的卫星峰可以清晰看到±4级衍射峰,1级衍射峰的半峰全宽仅为0.027°,周期厚度为5.59 nm,平均应变为0.43％.
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