在过去的几十年中,基于金属氧化物半导体材料的薄膜晶体管（TFTs）由于其独特的特性（如高场效应迁移率,大面积均匀性和可见光范围内的高透明度）而受到了广泛的关注。TTFs现在已经广泛的应用在了大规模生产的显示器中。但是,技术的发展仅限于n型材料TFTs。由于缺乏合适的p型材料以及苛刻的制备条件,目前对于p型金属氧化物TFTs的研究相对较少。若能获得性能优异的p型半导体,就有望应用于柔性透明的平板显示、集成电路、LED以及太阳能电池等领域。在本论文中,通过旋涂法制备了三元p型钙钛矿NdAlO₃薄膜,并在不同温度下进行退火。结果证明,在NdAlO₃薄膜中产生钕空位(V_Nd),V_Nd的存在导致薄膜的高空穴迁移率。集成的基于NdAlO₃薄膜的TFTs表现出典型的p沟道晶体管特性。在700 ^oC退火的NdAlO₃ TFT表现出优异的电学性能,包括0.19 cm²/Vs的场效应迁移率(μ_FE)和10⁵的电流开/关比(I_on/I_off)。当将高k材料Al₂O₃集成到TFT中时,μ_FE和I_on/I_off分别进一步提高到9.93 cm²/Vs和10⁶。此外,一维金属氧化物纳米纤维由于具有大的比表面积和独特的电学性能而备受关注。在本研究中,通过静电纺丝工艺制造了p型NdAlO₃纳米纤维场效应晶体管（FETs）器件。系统的研究了不同沟道覆盖率和退火温度对NdAlO₃纳米纤维FETs的电学性能的影响。这项工作不仅证明了p型钙钛矿NdAlO₃薄膜/纳米纤维应用于透明电子的可能性,而且还为新型p型氧化物半导体的设计提供了新的思路。