论文部分内容阅读
在许多重要领域，要求微电子器件和集成电路工作在高温下。因此对微电子器件的温度特性的研究有着重要实际意义。 本文以短沟道MOST电学参数的温度特性为研究对象，对高温短沟道MOST的电学特性进行了深入的探讨。推导了了一个短沟道MOST阈值电压温度系数表达式；发现短沟道MOST阈值电压温度系数在高于室温的一个较宽的温区内近似不变，但在温度较高时迅速增大。在考虑了各种散射效应对迁移率的影响后，提出了短沟道MOST表面载流子迁移率的温度模型。研究了沟长调制效应和漏致势垒降低效应对漏源电流温度特性的影响，给出了一个用于研究漏源电流温度特性的电流公式；并推导了短沟道MOST的ZTC点公式。对寄生的漏源串联电阻及其温度特性进行了详细探讨，计算结果表明，漏源串联电阻给漏源电流造成的衰减在温度升高后变得很大。