负电子亲和势相关论文
光电子技术作为我国科技发展最为重要的支撑技术之一,已在信息科学、通讯、航空航天、国防安全等领域发挥着极为重要的作用。从材......
利用金属有机物化学气相沉积系统(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)在n 型SiC 衬底上外延生长AlN 薄膜,厚度约为10......
金刚石表面的电子特性很容易受到其表面覆盖物的影响,而目前表面稳定、性能优良的表面覆盖层依然处于研究与寻找中。本文研究的过......
采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达1700μA/lm、逸出功低至1.2~1.3eV的负电子亲和势GaAs光电发射材料。本文介绍了GaAs光电材料的激活系统及其逸出功......
金刚石具有优异的电子、机械和化学性能,特别是表面的负电子亲和势(NEA)特征使其成为真空微电子器件的理想冷阴极材料,可望在平面显示器等......
对氮离子注入掺杂的微波等离子CVD金刚石薄膜进行了场电子发射研究。结果表明,发射具有3阶段特征,即当样品损伤层被击穿、发射体被激活后......
以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势( N E A)光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达......
研究了氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射行为 .实验表明 ,稳定发射的形成过程基本具有规律性的击穿、激活和稳定发射三阶段特......
采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜,并利用SEM和X射线衍射方法对金刚石膜进行了研究.
The diamond film was grown on the ......
研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀......
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采用Cs源持续、O源断续的交替方法成功激活了GaN光电阴极,原位测试了透射模式下的光谱响应曲线,获得了透射模式下高达13%的量子效......
利用自行研制的超高真空激活系统与表面分析系统,通过X射线光电子能谱(XPS)分析确定了采用的GaN(0001)化学清洗配方的有效性,并通......
CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度......
一、前言象增强器主要作用是将微弱模糊的象增强为明亮清晰的可见象。从象增强器本身看,现已发展了三代产品:第一代——采用纤维......
在一个商业超高真空装置中,对以玻璃为衬底并附有 Ga_xAl_1As 过渡层的半透明 GaAs 膜进行激活,获得了负电子亲和势(NEA)特性。在......
第三代和第四代微光瞄准镜 第三代像增强器 20世纪70年代中期,美国人在研制新的高性能光电阴极方面取得突破,80年代初研制出采用......
一、前言微光夜视技术已发展了三代产品。六十年代发展第一代,采用光纤面板耦合的三级级联式象增强器;七十年代发展第二代,采用微......
评述了国际上金刚石薄膜场发射的研究进展和存在的问题.主要包括金刚石薄膜场发射现象、场发射的可能机制和改善场发射的措施
The ......
本文介绍了高精度多晶多反射X射线衍射仪的一种新的应用.首次将其应用于研究高灵敏度第三代微光象增强器中由掺Zn的p型GaAs/GaAlAs、......
▲《Review of Scientific instruments》1981年第10期报导:英国帝国学院黑体实验室研制成功一种由钯—银氧铯层组成的具有低表面......
引言 在超高真空中,用铯激活Gap形成的负电子亲和势发射体Gap—Cs,这是一种优良的新型电子倍增材料。它的二次电子发射系数高,且......
GaP负电子亲和势(NEA)冷阴极用于无交叉点型电子枪,它与光导型无定形硒靶一起安装在摄象管内。并且利用通过P—n结的几毫安正向偏......
(一)前言 在常用的光阴极(Ag-O-Cs,Sb-Cs,Sb-K-Na-Cs)中,每一种光阴极均有其光谱响应曲线(工作波段)。各种光阴极的光谱响应曲线......
透射式负电子亲和势GaAs光阴极已应用于成像器件。由于GaAs的禁带宽度为1.42eV,长波阈约为0.9μm。因此透射式负电子亲和势GaAs光......
一、引 言在无油超高真空中,用钯激活P型重掺杂的磷化镓(GaP)晶体,形成的负电子亲和势发射体GaP:Cs是一种优良的次级电子发射体它......
NEA阴极表现出明显的优越性微光夜视器件的优劣首先取决于光电阴极的性能。优良的光电阴极应具有灵敏度高(量子效率高)、光谱响应......
第三代微光夜视仪中的薄片管是采用负电子亲和势光电阴极制造的。这种光电阴极多年来一直是国外夜视领域的研制重点。它的研制成......
负电子亲和势冷阴极是在负电子亲和势光阴极的基础上发展起来的,目前已报道的负电子亲和势冷阴极有GaAs、Si、GaAsP、GaP、GaAlP......
一般光电阴极其真空能级在导带底之上,电子亲和势(或亲和力)为正,电子必须克服势垒才能逸出;而Ⅲ—Ⅴ族光电阴极和硅光电阴极其真......
光子探测器的工作原理与热探测器不同。在光子探测器中,所接收的辐射(光子)引起探测器中电子运动状态发生改变,这个过程比物体的......
摄象管电流分布对分辨率和束放电滞后的影响,已用分析和试验进行了研究。发现分辨率和束放电滞后都取决于电流分布,尤其是前沿,还......
引言三代象增强器是一种采用GaAs光电阴极的双近贴象管。二代管和三代管的主要差别在于光电阴极。1965年负电子亲和势光电阴极的......
本文主要介绍光电器件中的新单晶材料,着重介绍近来新发展起来的硅冷阴极的结构、原理、特性和应用;还介绍了钇铝石榴石单晶屏的特......
本文介绍一种很有发展前途的负电子亲和势光电发射体——场辅助转移电子光电阴极,其长波阈可达2.1微米。它是一种多层结构,表面具......
用蒸发法制备负电子亲和势光电阴极,探讨了两个可能性:1)改进现有多碱阴极的工艺规范,制备负电子亲和势光电阴极;2)用蒸发法制备Ⅲ......
一个稳定的光阴极表面层是获得一个稳定的长寿命光阴极的必不可少的条件。由于反射式GaAs(Cs,F)光阴极用氟代替氧进行表面激活,氟......
本文叙述反射式GaAs负电子亲和势(NEA)光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为440~1177μA/lm的光电阴极。文中讨论了对NEA光电阴极稳定性的影响因素,铯和氧......
本文比较了正电子亲和势(PEA)和负电子亲和势(NEA)光电发射材料的特征.论述了多晶光电发射薄膜表面碎鳞场效应对电子亲和势的影响.......
长期以来,光阴极主要应用于辐射探测及微光成象。几乎所有应用于上述目的的光阴极都被设计为低电流密度工作状态(......