【摘 要】
：
程控交换机设备经常受到雷电、交流电源波动和电磁感应等外部应力的冲击,会直接在用户线接口电路（Subscriber Line Interface Circuit,SLIC）上产生大dv/dt高峰值的电压瞬间突变及大di/dt高峰值的浪涌电流。这使得连接的终端设备和系统无法正常工作或直接被损毁。因此,就需要双向保护结构来实现SLIC浪涌防护,从而保护整机系统。文中基于对SLIC的保护,开展了一种可编程
论文部分内容阅读
程控交换机设备经常受到雷电、交流电源波动和电磁感应等外部应力的冲击,会直接在用户线接口电路（Subscriber Line Interface Circuit,SLIC）上产生大dv/dt高峰值的电压瞬间突变及大di/dt高峰值的浪涌电流。这使得连接的终端设备和系统无法正常工作或直接被损毁。因此,就需要双向保护结构来实现SLIC浪涌防护,从而保护整机系统。文中基于对SLIC的保护,开展了一种可编程双向保护结构的设计和开发,主要工作如下:1、提出一种可编程双向保护结构的电路框架,采用四个独立的保护结构,分别为两正向和两负向,在横向模式和纵向模式下对超过SLIC电源干线的电压起限压作用。其中两个缓冲NPN晶体管分别连接两个NPNP晶闸管提供负向浪涌保护,另两个缓冲PNP晶体管分别连接两个PNPN晶闸管提供正向浪涌保护。四个缓冲晶体管为每个保护部分提供独立控制,其基极端分别与SLIC负电源电压及正电源电压相连,这使得保护结构在母线电压高于正电源电压+1.4 V或低于负电源电压-1.4 V时触发导通,实现电压跟随及可编程双向保护。2、针对所提出的可编程双向保护结构中的集成器件深入分析,确定各器件的电学参数,综合考虑保护器件和控制管之间的兼容性和隔离问题,在降低工艺成本的基础上,建立了可单片集成的工艺制程。以此为基础进行了基于P型衬底和N型衬底不同器件的工艺参数和器件结构参数的设计仿真,满足预设要求,最后进行了版图设计。3、对设计的芯片进行了流片,测试数据显示器件各部分耐压已完全达标,可在-110 V-+110 V大电压范围内实现可编程双向保护,维持电流大于150 m A,触发电流小于5 m A,管芯可承受10/700μs波形,峰值电压±2500 V、峰值电流±62.5 A的脉冲测试。
其他文献
在如今5G技术、雷达技术、高速信息交换技术飞速发展的现在,为了适应军事领域、工业领域和民用领域越来越高的速度要求,高速模数转换器（ADC）越来越重要。传统的超高速ADC结构——时间交织ADC（TI ADC）结构虽然能够达到极高的采样率,但是由于失配的影响,它的精度往往不高。虽然针对TI ADC的失配,研究者们提出了各种各样的校正方法,但是在实际应用过程中,TI ADC的校正依然很难达到理想的效果。
超奈奎斯特速率（FTN）传输技术能够在不增加传输带宽的条件下,通过减小符号发送间隔的方式提升传输容量和频谱效率,近年来成为了通信领域的研究热点。FTN系统射频前端本振相位噪声（简称相噪）会恶化系统误码性能,并与FTN引入的码间干扰（ISI）耦合,使得传统针对奈奎斯特传输无ISI情况下的相噪抑制方法不再适用。因而研究FTN系统中的相位噪声抑制对FTN的应用具有重要意义。本文针对FTN系统中相噪抑制问
目前5G通讯技术、智能终端、航空航天及物联网等方面对于高性能器件需求日益扩大,电子元器件作为支撑信息产业发展的基石,其性能的发展也逐步向着集成化、高频化、多功能化方向靠拢。而低温共烧陶瓷（LTCC）技术因其高集成度、高可靠性、设计灵活性及高兼容性等优势成为目前主流的无源器件集成技术。不过,该种技术对于使用的基板材料的要求也愈多。除了满足常规的微波介电性能优异性外,微波陶瓷还需能够在较低的温度下烧结
MRAM作为新型的非易失性存储器,不仅有着掉电不丢失数据的特性,在功耗、容量、寿命和读写速度等方面的性能也不逊色于主流存储器。越来越多的厂商开始生产制造MRAM磁存储器,由于集成电路的集成度不断提高,ASIC的设计复杂度越来越大,设计出现的错误的情况也越来越多,任何一个小错误都可能使得芯片报废,因此设计流程中,验证占了大部分的时间,验证成为了IC设计过程中至关重要的一步。在众多的验证方法中,基于U
目前,磁控管正逐步朝着高功率,高效率,高频段的方向发展,为进一步提升其性能指标,新的结构与新的技术不断涌现而出。与此同时,磁控管研究开始面临着愈来愈多的模式问题,模式关系愈发复杂,模式竞争愈发激烈。磁控管的模式问题是磁控管发展的一大阻碍,磁控管的模式研究具有重要意义,但由于磁控管理论的不完善,以及仿真和实验研究方法的局限性,使得研究过程中出现的模式问题难以被处理和分析,为弥补现有研究方法的缺陷,更
近代以来,随着我国航空事业的不断发展,航天技术日益成熟。当电子设备工作在宇宙空间区域时,就有可能发生辐射效应而导致飞行器功能异常,进而造成巨大损失。在航天应用的存储器和处理器电路中,灵敏放大器型触发器具有差分输入可靠性高和建立时间短等优点,获得了广泛的应用。高可靠抗辐射加固的灵敏放大器型触发器结构具有较大的工程应用价值。本文首先研究了现有抗辐射加固的灵敏放大器型触发器结构,分析了其单粒子效应理论基
随着雷达、通信、测量仪器等领域的不断发展,系统对模数转换器（ADC）的精度和速度的要求也持续提高。高速高精度ADC作为相关领域的关键部件,也是近年来研究的热点。时间交织ADC作为实现高速高精度ADC的主流结构,在与压缩感知相结合后可以进一步提高转换速率。但与压缩感知相结合的时间交织ADC同样受到失配误差的限制,导致其性能大幅度下降。论文结合压缩感知理论,开展了时间交织ADC失配误差校正技术的相关研
现场可编程门阵列（Filed Programmable Gate Array,FPGA）,是一种可编程的数字集成电路（Integrated Circuits,IC）。FPGA从诞生到现在已蓬勃发展了30余年,被广泛应用于消费电子、汽车电子、航空航天、武器设备等传统领域,如今在数据中心、量化交易、芯片验证、机器学习等应用场景也开始崭露头角。目前FPGA主要有3种技术路线,即反熔丝技术、SRAM（St
三相桥驱集成电路内部集成了三个独立的半桥栅极驱动电路,是智能功率集成电路领域中很重要的一类产品,主要用于电机的驱动。SPI通信是一种高速同步串行总线,协议简单,集成于三相桥驱集成电路可以灵活进行包括死区时间等配置的同时进行状态监测和实现中断,保障了所应用系统的可靠性。文中重点开展了集成SPI通信功能的三相桥驱集成电路的关键技术研究,主要工作如下:1、提出三相桥驱IC的整体框架。根据采样与控制的原理
随着节能减排的迫切需求,如何高效化地使用电能越来越被重视,功率半导体器件作为电能处理和转换的枢纽,在电能的高效率转化中起着至关重要的作用。绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）是目前运用较为普遍的功率半导体器件之一,兼具场效应晶体管和双极型晶体管的特点,具有导通损耗低、输入电阻大等优势。IGBT导通压降低是由于导通时漂移区内的电导调制,大量