一种低损耗单片隔离型开关电源—Coolset

来源 :第十四届全国电源技术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:laner12
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本文对常用的单片隔离型开关电源的优缺点进行了分析,主要介绍并分析了一种高效单片隔离型开关电源—Coolset的特点及设计中注意的问题.
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本文分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理,测其退火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化.结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密,折射率升高,抗高氧化性能提高,并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响.
本文介绍利用兆声波检查已经键合完成的硅片,硅片界面是否存在有缺陷.通过磨片将器件层的大部分厚度磨掉,然后兆声波利用去离子水作为介质对整个硅片表面进行扫射来检查硅片界面是否存在有缺陷,通过实验和具体工作中应用发现,能够非常准确的检验出硅片界面是否存在缺陷,是一种非常有效的方法.
过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一.本文采用分子束外延系统在Si(100)衬底上外延生长了β-FeSi2颗粒并系统地表征了材料的结构和性质.研制出工作波长约为1.6微米的室温发光二极管.
本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件工艺,取得了初步的实验结果.
本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,给出了结构实现的工艺控制要求.
本文综合运用硅硅键合、深槽刻蚀、多晶硅回填、化学机械抛光和离子注入技术,进行了介质隔离互补双极工艺技术研究,实现了纵向PNP、NPN以及横向PNP双极晶体管的SOI单片集成,其中纵向PNP、纵向NPN和横向PNP的耐压分别为25V、35V和35V,电流增益分别为30、180和25.
本文采用改进的PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)技术首次制备出六角多型碳化硅纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在18-50nm之间.长度为0.3um-6mm.Raman光谱表明它是六角多型(4H)纳米碳化硅晶须.紫外光激发出现高强度蓝光发射.同时在550nm-620nm和700nm-750nm处分别出现两宽带发射,其中蓝光发射带经计算,4H-碳化
本文对比生长在不同SiOx薄膜中之两种硅纳米晶(NC-Si)的近红外光荧光特性,并对其发光机制作出定性分析.SiOx薄膜是在电容耦合式超高真空PECVD系统中,以SiH4(浓度15﹪,Ar稀释)和N2O为反应气体,在RCA处理的(100)Si衬底上制备.实验用NC-Si样品D3和D4是两种SiOx薄膜(分别对应Si浓度46﹪和40﹪)在相同退火条件下(氮气气氛,1150℃)退火1小时制备而成.通过
本文研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用X射线衍射,四探针以及电流~时间(I~t)测试等表征手段研究了Ru/TaN双层结构薄膜的热稳定性和对铜的扩散阻挡特性.实验分析表明Ru/TaN双层结构具有较佳的热稳定性和扩散阻挡特性,在无籽晶铜互连工艺中有
基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放.原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明在应力释放过程中未引入位错和缺陷.我们通过"容忍型"衬底的理论来解释氧化过程所涉及的应力释放.在氧化过程中,由于埋层