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本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件工艺,取得了初步的实验结果.
集成化SiGe异质结双极晶体管工艺研究
【摘 要】
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本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件工艺,取得了初步的实验结果.
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年1期
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