介质隔离相关论文
本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe......
采用PN结隔离的标准双极工艺，成功地设计了一种输出达40伏的高压微型化跳频控制电路。在电路设计、版图设计、工艺设计中运用了可靠......
二氧化硅在VLSI中起着极其重要的作用.氧化层击穿是MOS VLSI的主要失效机理,并已成为电子设备中可靠性问题的重要原因。难解决的......
阐述了实现多层平面互连结构的方法 ,对该技术中的三个主要方面——介质隔离度、小于 2 .0 μm× 2 .0 μm互连孔和 5 0 nm之内的......
X-FAB半导体加工厂（位于德国的Erfurt）宣布开发成功了一种新的混合信号的SOI（绝缘层上硅,silicon-on-insulator）工艺技术。这种工艺适......
据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是利用注氧隔离(SIMDX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。其特征是:将SOI衬......
涂料,我们通常称它为“油漆”,它是一种含有颜料或不含颜料的以树脂或油制成的化工产品。将它涂在被保护的表面上,就干结成一层薄......
为进行深井破岩机理的研究，进行了深井破岩试验装置和高压三维测力传感器的设计研制。前者可在模拟不同井深（０～５０００ｍ）的压力条件下进行单齿或......
介绍了一种新型的防蚀高功能拒水粉(FGJ-9001),它含有超薄膜结构的材料,具有强的耐酸、耐碱、耐盐,耐老化、耐冻及耐热性能,使用时......
通过阳离子表面活性剂烷基吡啶盐在铝表面上的吸附，研究了不同温度下的酸碱介质中烷基吡啶盐对金属铝的缓蚀作用。
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液化气体罐车用安全阀弹簧断裂的解决办法沈阳市忠厚阀门制造公司赵忠厚近几年来，由于罐车用安全阀上的弹簧在罐车的运行中突然断裂......
所谓半导体集成电路,就是把在一个或一个以上的半导体衬底上制作的电路元件相互连接的电路。半导体衬底现在基本上是采用硅。此外......
在“介质隔离”的反外延工艺中,有时在淀积多晶硅的过程中会形成较大的颗粒,致使在隔离槽里产生空洞。磨片显示之后,由于空洞处对......
美国Harris公司发明的多晶平面工艺主要是根据介质隔离技术原理的一种改进工艺,它对改善隔离性能、集成度以及电路特性等方面具有......
对于介质隔离的氧化层必须结构致密,缺陷少,以保证较好的隔离特性。通常在外延炉里淀积的二氧化硅层由于各种原因质量较差,有时还......
硅本身可被阳极处理,这一发现为集成电路更便宜、更高密度和更快速打开了一条意想不到的途径。在这步低温工艺中,产生为隔离芯片......
就直流性能而言,今天的单片线性器件很容易比得上最好的分立线性电路的精确度与灵敏度。这个成就大部份依据这类双极工艺的革新,......
我厂试制的宽频带放大器SG012(相当于国外的UA733),由于采用了P-n结隔离工艺,同时在版图设计时采取了必要的措施,因此,收到了良好......
目前,在国内集成电路生产中,通常采用PN结隔离工艺和介质隔离工艺.其中PN结隔离工艺又以锑隐埋单面隔离为常见.磷隐埋对通隔离工......
集成电路是近十多年来发展非常迅速的一种新型电子器件。如果说把电子管算作是第一代的话,那么从第二代的晶体管,第三代的集成电......
在有电介质隔离时,放电气体与激励电极之间的气体放电现象称为外电极放电,它必须用交流电激励.一旦放电后,在放电空间内形成等离子......
使用介质隔离工艺研究出了模拟—数字兼容的350伏功率集成电路。使用纵向npn晶体管和新型的横向pnp晶体管获得了很好的互补电特性......
本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体......
本文介绍一种由一层绝缘层隔离的两导电层间垂直互连的方法。该方法在对垂直通道墙壁实现完全的台阶覆盖方面和表面的平面化方面,......
本文介绍消除CMOS电路闭锁效应的几种方法:第一、减少寿命,起初,使用掺金的办法来降低少数载流子寿命,后来Sakai等采用本征吸杂办......
本文根据RHX36、RHX37等IC的抗核加固器件,以抗中子和γ射线为主,采取提高IC设计余量,使电路增益在较宽的范围内都不致于影响IC的......
本文叙述一种新型的压力传感器——多晶硅压阻式压力传感器。这种传感器以单晶硅为衬底材料,多晶硅电阻条构成惠斯通桥路,二者之间......
国际会议 用 页发展科技、促进生产、争取市场—一第ZI届欧洲固体器件会议纪要……………………………………唐国......
采用pn结隔离技术制作的硅单晶压阻力敏传感器,因工作温度范围为-40～+80℃,使其在一些特殊高温环境(汽车电子、采油业等)中的应用......
目前,许多高性能模拟集成电路采用介质隔离技术。精密放大器、视频电路、模拟开关、高输入电压电路,甚至模拟专用集成电路(ASIC),......
本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有......
一、前言 近年来,美国、日本等工业发达国家对电力电子技术的发展和应用都相当重视,把它视为“第二次电子革命”。日本历来对电力......
通过玻璃介质层的硅片直接键合法形成ＳＯＩ结构＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－５５～６０在集成电路工艺中，采用ＳＯＩ结构可以大大减小寄生耦合，提高击穿电压，降低所需功率，提高集成密......
一、前言用电化学方法研究金属的腐蚀行为,已经日趋普遍。但是对于试样的非工作表面(包括试样边缘、导线、试样与导线的接头表面......
在生物体电磁效应研究中,需要测定其中电场强度.由于校准与实际应用时探头周围介质的介电常数并不均匀,导致校准系数发生变化,......
在系统12的模拟用户电路设计中,已经应用了过去三年在高压技术、综合处理技术和LSI辅助设计方面取得的新技术成果,在用户电路中广......
本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路......
本文通过对单晶硅、多晶硅力敏元件复合结构的对比分析,及优化多晶生长条件的选择探讨研制高稳定的多晶力敏元件的理论根据
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据来自EG＆G的消息,EG＆G IC Sensors准备在1996年向中国市场全面推出其最新设计的不锈钢隔离压力传感器.这是其在1995年9月正式设计......
本文分析了影响扩散硅压力传感器稳定性产生的原理,并依据半导体理论,在工艺上采取了相应的措施。大大改善的传感器的稳定性,使我......
