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文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路.该器件具有两管电流放大系数对称性好(hFE=97%)、噪声系数低(NF≤3 dB)、隔离度高(g≥40 dB)、共模抑制比高(CMRR≥80 dB)和截止频率高(fr≥600 MHz)等优点.
介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究
【摘 要】
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文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路.该器件具有两管电流放大系数对称性好(hFE=97%)、噪声系数低(NF≤3 dB)、隔离度高(g≥40 dB)、
【机 构】
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信息产业部电子第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2001年6期
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