衬底温度对磁控溅射制备CdTe/ZnTe 多层膜性能的影响

来源 :第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12) | 被引量 : 0次 | 上传用户:JK0803Tangxu
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
利用射频磁控溅射技术,在不同的衬底温度下,在普通玻璃和石英玻璃衬底上沉积了CdTe/ZnTe 多层薄膜.利用X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的结构、形貌特性进行了表征.采用紫外-可见光分光光度计,研究了温度对薄膜光学性能的影响.在普通玻璃和石英玻璃衬底上沉积的CdTe/ZnTe 多层薄膜,均为六角、立方晶系的多晶结构;温度升高,可见光吸收边向长波移动;衬底沉积温度越高,其表面颗粒越均匀.
其他文献
宽光谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MOCVD-ZnO:B 的光电特性.结果表明:“富氧”的缓冲层有效地增加了ZnO:B-TCO 的近红外区域透过率,使其更适应宽光谱薄膜太阳电池的发展要求.经过优化的ZnO:B 特性
透明导电氧化铟锡(ITO)薄膜可应用于nip 硅基薄膜太阳电池前电极(顶电极),低温制备ITO 薄膜对于nip 太阳电池尤其重要.但是,低温制备的ITO 薄膜光学透过和电学性能并不理想.本文使用热蒸发方法研究低温制备ITO 的光学透过和电学性能,采用加热氧气的方法,可以改善低温制备的ITO 薄膜的透过性能.在衬底温度为175℃,反应压强为0.26Pa 时,生长获得的厚度80nm-ITO 薄膜,其可
采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中,结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p 层的太阳能电池性能最好.结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率9.0%(Voc=0.
使用第一性原理对1.6nm 的Si 粒子在0 K 时B/P 不同掺杂位置和不同掺杂量进行模拟,并对能带、电子状态密度图以及体系能量进行分析.发现B/P 掺杂时掺杂原子都主要集中于粒子表面,不同的掺杂位置会在禁带中引入不同的能级.而且B 掺杂时在电子状态密度图能在禁带中看到一个很明显的峰,随掺杂量体系能量也会增加,体系变得很不稳定,这就解释了为什么B 在高掺杂时需要较高的能量注入.还发现在用B/P
迅力光能自主开发成功高集成宽幅卷对卷薄膜硅太阳能电池生产线,在0.127mm 厚的不锈钢基底上生产的a-Si/a-SiGe 多结太阳电池实现了初始转换效率大于10%.所生产的柔性光伏组件产品在2010 年已经取得美国ETL(UL1703)认证,以及欧洲TUV(IEC61646/EN61730)和CE 认证.
作为为光伏的一个重要领域,硅基薄膜电池技术在过去5 年有了长足的发展,特别是近期硅基叠层薄膜电池的引入和产业化更是显著地提高薄膜电池转换效率.如今前沿领域的硅基薄膜电池制造商都朝着商业化量产稳定效率10%迈进.过去几年里作为世界上少数几家仍在量产硅基薄膜电池的企业,正泰太阳能一直走在硅基薄膜技术创新及量产大面积组件(1.1x1.3m2)的最前沿,在薄膜电池,组件,及组件能源输出方面都做了大量的研发
硅基薄膜太阳电池技术的研发和生产在近十年来取得了显著的进步,本文简要介绍了硅基薄膜光伏技术,对目前的非晶硅及硅锗合金太阳电池技术,以及纳米硅与非晶硅合金太阳电池技术的特点进行了分析与对比.在此基础上,分析与讨论了硅基薄膜太阳电池面临的困难与挑战,并提出硅基薄膜太阳电池进一步发展的技术方向.
红外热成像技术具有方便、快捷和无损伤的检测特点,其在薄膜硅组件制造中有着重要的应用意义.薄膜硅组件的膜层沉积质量和激光划线质量的检测、以及薄膜硅组件经加速环境老化测试后的检测在薄膜硅组件的质量控制过程中非常重要.本文借助红外热成像技术,重点研究了其在薄膜硅组件制造过程中及在可靠性检测中的应用.红外热成像技术能够快速检测出薄膜沉积过程中的电池分流通路(Shunt)点和激光划线的缺陷,对经过1000
采用AMPS 模拟软件,对n-i-p 结构的非晶硅锗单结薄膜太阳电池I-V 特性进行了理论模拟,分别讨论了非晶硅锗本征层材料中缺陷态密度、本征层厚度及本征层与p 层界面处缓冲层对电池I-V 特性的影响;模拟实验发现本征层态密度每降低一个数量级,电池的转换效率可提高一个百分点以上;将模拟获得的结论应用于电池的实验制备中,采用RF-PECVD 法获得了效率为8.3 %的柔性聚酰亚胺单结非晶硅锗薄膜电池
本文主要研究聚酰亚胺(PI)衬底柔性非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池内联组件结构设计及内联组件制备的关键技术:深度选择性激光刻蚀.文中所采用的内联结构,首先是卷对卷沉积a-Si 太阳电池的各层材料,随后采用激光刻蚀等工艺实现组件的内联.深度选择性激光刻蚀(P1、P2)分别采用1064nm 和532nm 的调Q 纳秒激光,激光刻蚀槽P1 和P2 分别填充绝缘浆料和导电浆料.目前,采用上述结构及工艺制备