【摘 要】
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采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中,结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p 层的太阳能电池性能最好.结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率9.0％(Voc=0.
【机 构】
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云南师范大学太阳能研究所“可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室” 云南师范大学,中国昆明,650092
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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采用PECVD 技术,在较低的衬底温度(.60℃)条件下沉积掺硼的氢化纳米硅P 掺杂层.将这种氢化纳米硅p 层应用到玻璃顶衬的TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H(30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中,结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p 层的太阳能电池性能最好.结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率9.0％(Voc=0.9V,FF=0.65,J= 15.2mA/cm2).
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