不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性

来源 :第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：taixiangle

【摘要】

：

影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应，且发现小电流注入下晶体管辐射损伤会表现得愈加显著。比较三种发射极尺寸晶体管辐照响应，发现发射极周长面积比(P/A)越大时晶体管归一化过剩基极电流(△IB/

【作者】

：

郑玉展陆妩任迪远王义元郭旗余学锋何承发

【机构】

：

中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院北京100049 中

【出处】

：

第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

【发表日期】

：

2009年7期

【关键词】

：

发射极面积晶体管剂量率辐射损伤

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