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雾状缺陷相关论文
掩模版雾状缺陷的解决方案
在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因。目前晶圆厂主要采用改善掩模......
期刊
雾状缺陷
掩模版
存储环境
使用寿命
haze defect mask storage environment lifetime
光罩雾状缺陷检测频率的研究
信息时代对器件的微型化、轻量化、集成化的迫切需求,极大地推动了微细加工技术的发展,光刻技术是当前半导体元器件加工业应用最为......
学位
光刻
光罩
雾状缺陷
措施
掩膜版雾状缺陷改善与光刻良率提升
在半导体业大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的要求下,如何有效降低掩膜版的雾状缺陷产生的频率,以提高产品良率是半导体业......
学位
雾状缺陷
掩膜版
存储环境
使用寿命
无硫清洗
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