信息时代对器件的微型化、轻量化、集成化的迫切需求,极大地推动了微细加工技术的发展,光刻技术是当前半导体元器件加工业应用最为广泛的一项技术。随着大规模集成电路和微结构光子学元器件的迅速发展,对光刻技术的精度和分辨率要求越来越高,但是由于光学衍射极限的存在,传统光刻技术的分辨率存在无法突破的极限。而光罩是光刻技术中的一个重要环节,光罩必须制造得非常完美。所有硅片上的电路元件都来自版图,因此光罩的质量在亚微米光刻获得高质量图形中扮演着关键角色。如果光罩缺陷没有被发现,它们就会被复制到硅片表面的光刻胶上。光罩在制造完毕,就要进行大量的自动测试来检查缺陷和颗粒。本文重点研究了光罩雾状缺陷的来源以及形成方式,研究了光罩雾状缺陷的生长速度与曝光波长,光罩性质以及光罩清洗等的关系。并针对以上几种不同类型的光罩,从节约成本的方面考虑,提出了合适的光罩雾状缺陷的检测频率。该检测频率在实际应用过程中取得了很好的效果。