负微分迁移率相关论文
空间电荷包行为其形成机理仍需深入研究.文献已报道的空间电荷包行为集中于聚乙烯材料中,产生的阈值电场多超过100 kV/mm.本课......
我们知道,砷化镓电子转移器件(TED)的载流子浓度(n_o)和有源区长度(L)的乘积是判别此类器件稳定与否的参数,通常以n_oL在5×10~(1......
五、影响放大性能的因素放大器性能由多方面因素决定,是材料、器件和电路综合作用的结果。这里主要讨论偏压、射频信号的大小、晶......
一九七○年,根据理论计算,发现磷化铟是具有三能级电子转移机构的化合物半导体,因此,比砷化镓具有更显著的负微分迁移率,在微波振......
用微波技术测得的 n 型 GaAs 速度—电场(V—E)特性仅当样品均匀时才相当于材料的本征特性。本文介绍对具有非均匀掺杂浓度的外延......
本文讨论了在CaAs 体效应器件中由于阴极附近深凹槽的掺杂分布引起的静止畴的超宽带负阻,在这一模型中电场分布不再是通常的三角形......
装制了砷化镓电子转移放大器件的V-I特性测量仪,观察了连续和脉冲运用的电子转移放大器件的V-I特性。发现几呈现准饱和V-I特性曲线......
本文提出了一个关于 GaAs FET’s的新的分析模型。与传统的一维“肖克来模型”不同,这个模型从一个新的概念——“非线性可变沟道......
砷化镓体效应二极管是一种新型的半导体器件一微波振荡器件。它是利用双能谷半导体砷化镓材料,在高场下体内呈现负微分迁移率,产......
本文用Monte Carlo 微粒模拟法(Particle Simulation)研究了GaAs中导带电子的负微分迁移率NDM(Negative Differential Mobility).......
聚乙烯中的空间电荷包行为是空间电荷的一种特殊的输运行为.研究表明,空间电荷包行为由于受材料本身特性、外加电场大小以及环境温......
低密度聚乙烯材料中的空间电荷包现象通常会引起严重电场畸变而影响其击穿特性.本文借鉴半导体中的耿氏效应的负微分迁移率机理来......
对微波电路中电子转移振荡器的性能进行了数字研究。电路参数改变时,对限累模式转变到畴模式给以特殊的注意。限累工作的一个简单......
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探......
对GaAs光导开关非线性工作时,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波......
对GaAs光导开关非线性工作时,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析,给出了考虑和未考虑碰撞电脑作用时的外电路电流输出波形......
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索......
通过研究外加电场强度50k V/mm以下低密度聚乙烯中的空间电荷包行为,使用一种多层结构的受辐照的双面粘贴聚氟乙烯薄膜低密度聚乙......
随着毫米波乃至太赫兹波技术的发展,对于太赫兹波半导体器件固态源的要求越来越高。而作为半导体电子器件微波固态源中的一种,相比......
由于In N材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利......
由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利......