自旋弛豫相关论文
目前治疗铅中毒是根据EDTA(乙二胺四乙酸)可以络合重金属的原理,用EDTA反复排除患者体内的铅。但是血红素中的铁是处在与卟啉络合......
设计了基于电子自旋弛豫的透射式全光开关模型,该光开关具有开关时间短、结构简单、光学非线性强等特点。研究在右旋圆偏振光抽运......
我们实验研究了(110)-GaAs量子阱中光生载流子对电子自旋弛豫的影响。通过测量量子阱的荧光寿命和光学吸收计算,我们能得到不同泵......
以自旋作为信息传递和存储的新一代电子技术将有利于突破以半导体技术为核心的信息存储领域的瓶颈。与自旋流相关的输运现象是自旋......
自旋电子学是一门新兴的学科,利用电子自旋自由度制造的器件,与传统的半导体器件相比,有着非易失性、数据处理速度快、能量消耗低和集......
铁磁金属自旋电子器件,如GMR和自旋阀磁读头的巨大成功应用,使人们认识到了自旋电予器件的诸多优点,如体积小,功耗低,信息不丢失等,促使......
采用飞秒脉冲的饱和吸收光谱方法研究了GaAs/AlGaAs多量子阱中电子自旋的注入和弛豫特性,测得电子自旋极化弛豫时间为80ps.说明了......
本文从发展量子信息科学技术,克服常规材料和器件响应时间的限制,开辟利用电子自旋自由度的新型光电子器件的目标出发,以物质的相干性......
自旋弛豫和自旋退相使非平衡自旋趋于平衡,是自旋电子学中一个相当重要的研究课题.对自旋弛豫和自旋退相机制的理解能帮助人们有效......
自旋电子学是一门以自旋自由度为载体进行信息存储、处理和传输的学科,并且以发展具有速度快、能耗低、集成度高、稳定性好等优点的......
自旋电子学是一门以固体材料中电子的自旋自由度作为信息载体与研究对象的学科,其中一个重要的分支为半导体自旋电子学。半导体自旋......
半导体自旋电子学是凝聚态物理学的一个重要特色,此学科将半导体技术和基于自旋的量子效应结合起来,它不仅丰富了物理学研究内容,而且......
利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度......
采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0·1Ga0·9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果......
确定电子自旋稳定性的最重要的性质是自旋弛豫时间,文中介绍了DP、EY、BAP等三种重要的自旋弛豫机制以及它们的实验进展,为室温下......
自旋噪声谱是一种测量自旋涨落的光谱技术,由于无扰动的测量机制,其光谱信号非常微弱.本文基于含有一定压力的缓冲气体的天然丰度......
利用地球磁场核磁共振(EF NMR)的方法测量水中质子自旋弛豫的时间.两种不同的自旋弛豫时间T1和T2分别测得为(2.46±0.16)s和(0.83&#......
自旋电子学是利用电子的自旋自由度而非传统的电荷自由度为基础,研发新一代电子器件的学科。它不仅对现今的信息产业有着重要的影响......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
自旋电子学是研究和利用电子的自旋自由度来取代或者结合电荷自由度的一门学科,尤其以固态系统为研究主体。它的目标是为新一代的......
自旋电子学主要研究如何利用电子的自旋自由度作为信息的载体,从上世纪80年代末到现在,在基础科研领域和工业应用方面都获得了巨大......
弱磁场探测技术在医用、地震预测、导航等领域都有着非常广泛的应用。原子磁力仪,作为目前灵敏度最高的一种磁力仪,技术逐渐成熟,拥有......
蛋白质的三维结构在很多情况下不能很好地解释其在生理过程中的作用机制.动力学研究能够获悉蛋白质在不同时间尺度下的内运动信息,......
利用适用于线极化Bell-Bloom测磁系统的布洛赫方程和含有自旋弛豫的速率方程,以铯原子为研究对象,分析了抽运光对磁场灵敏度的影响......
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋......
尽管我们一直在提升光电和电子开关器件的性能,要使它们工作在比特率高于100 Gb s - 1仍然很困难,因为多种因素限制了他们的响应时......
本文通过分析碱金属原子在原子气室中的自旋弛豫作用,得出了原子磁力仪灵敏度上限受气室尺寸影响的理论模型。计算了不同气室尺寸......
随着巨磁电阻效应(GMR)的发现,自旋电子学迅速兴起并成为一门新的学科。自旋电子学以电子的自旋属性为信息载体,有望实现集逻辑、......
本文主要评述和介绍半导体微结构中自旋轨道耦合的研究和最近的研究进展。我们细致地讨论了半导体微结构中自旋轨道耦合的物理起源......