自旋哈密顿参量相关论文
基于Newman的晶场叠模型与微观自旋哈密顿理论,建立了ZnGa2O4:Fe3+晶体材料中磁性离子Fe3+局域结构与其自旋哈密顿(spin-Hamiltoni......
电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及其络合物微观结构、磁学和光学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量......
过渡离子一直是光学玻璃等新型功能材料中的热门掺杂离子,在光谱学、医学、光学探测、通讯及光电对抗等领域具有广泛的应用。在光......
电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物的微观结构、光学和磁学性质等的有力工具.由于基态为轨道简并态时的......
很多掺杂3d9(Cu2+)离子的功能材料具有奇异的磁性、催化、导电、非线性光学性质和自组装结构特性而引起研究者的关注。这些材料的......
电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物局部结构、光学和磁学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量(......
本文基于离子簇模型，采用Marcfarlne强场微扰法得到四角和斜方畸变的压缩八面体中3d1离子的g因子和超精细结构常数的三阶微扰公式，并......
电子顺磁共振(EPR)谱是研究掺过渡和稀土离子晶体的光学和磁学等性质的有效方法，其实验结果常用自旋哈密顿参量(零场分裂、g因子、......
掺杂过渡离子的功能材料常表现出独特的光学和磁学等性质，并敏感地依赖于其中过渡离子杂质的电子能级和局部结构。电子顺磁共振谱（EP......
采用了中间场耦合图像 ,考虑了以前研究中被忽略的SS (spin spin)磁相互作用以及SOO (spin other orbit)磁相互作用 ,利用完全对角......
提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型,建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自......
采用完全对角化方法,讨论了三角对称和四角对称下d3离子自旋二重态和自旋四重态对基态4A2(4F)自旋哈密顿(SH)参量(包括零场分裂(ZF......
基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d~1离子在D_(4h)对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级......
用自旋 Ｈａｍｉｌｔｏｎ 理论和 Ｎｅｗｍａｎ 的晶场叠加模型研究了 Ｃｒ３ ＋ ∶ Ｍｇ Ａｌ２ Ｏ４ 晶体结构与自旋哈密顿（ Ｓ Ｈ） 参量之间的定量关系；在此基础上，计算了 Ｃｒ３ ＋ ∶ Ｍｇ Ａｌ２ Ｏ４ 晶体的 Ｓ ......
用基于基团途径(或半经验的分子轨道法)的微扰公式计算了Co2+离子在Zn(BF4)2.6H2O晶体中的三角对称Zn2+位置的自旋哈密顿参量(g因......
用基于基团途径（或半经验的分子轨道法）的微扰公式计算了CO^2＋离子在Zn（BF4）2·6H2O晶体中的三角对称Zn^2＋位置的自旋哈密顿参量（g因......
利用高阶微扰方法和完全对角化方法分别计算了MPO4（M=Sc，Lu，Y）：Ti^3＋的自旋哈密顿参量（g因子g∥，g⊥和超精细结构常数A∥，A⊥），两种方法的计算......
采用低自旋态(2T2)d5离子在三角对称中的公式, 计算了KNbO3:Ir4+ 晶体的自旋哈密顿参量g因子g//, g⊥和超精细结构常数A//, A⊥. ......
利用离子簇模型，建立了四角伸长八面体中3d^9系超超精细参量的微扰公式；在理论上得到了轨道混合系数、未配对自旋密度、平均共价因子......
报道了ＮＩＮＯ晶体在Ｔ＝１．５Ｋ温度和１０１ＧＨｚ频率下的电子自旋共振（ＥＳＲ）实验，建立了ｄ＾３离子基态＾３Ａ２（Ｆ）自旋哈密顿参量Ｄ、Ｅ和ｇ－因子与斜方对称晶场势参量间的关系，并对ＮＩＮＯ晶体进行了......
在晶体场与配位场理论的基础上,利用3d9离子在四角伸长八面体环境下的自旋哈密顿(spinHamiltonian,SH)参量高阶微扰公式,计算了铅......
功能材料中的缺陷结构对材料光学和磁学等性质具有显著影响，而过渡金属离子杂质在基质晶体中的电子结构和局部结构信息对于深入了解......
本文对晶体材料中过渡金属激活离子的磁相互作用与微观自旋哈密顿参量做了系统的研究。主要内容与结果如下:（1）对晶体材料中过渡金属......
纳米晶中掺杂过渡离子具有独特的光学、发光和磁学等特性,而这些特性与过渡离子杂质的局部结构和电子能级有着密切的联系。电子顺......
在考虑微小磁相互作用（包括SS、SOO和OO作用）的基础上，采用全组态完全对角化方法，建立了Al2O3晶体中V^2＋离子的局域结构与自旋哈密顿参......
基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d^1离子在D4h对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公......
基于完全对角化方法,研究了4B1（3d3）态离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量（b02,g∥,g⊥,Δg）的微观起源.结果表明......
基于完全对角化方法(complete diagonalization metho,CDM),研究了6S(3d5)态离子在立方对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿......
光学玻璃等功能材料中掺入V4+等过渡金属离子会极大改善材料的光学和磁学等性能,这主要归因于上述激活离子未满3d轨道所处环境变化......
学位
功能材料(FM)的物化性质能够通过掺杂过渡金属离子(TM)而得到改善,其改善程度与过渡金属离子的电子和局部结构息息相关。过渡金属......
掺3d9(如Cu2+、Ni+等)离子的半导体常作为重要的发光材料,其光学性质在很大程度上取决于杂质离子的局部特性（如占位、局部晶格畸变......
掺杂过渡金属离子的晶体材料具有重要的研究价值,因而一直受到人们的普遍关注。电子顺磁共振（EPR）实验技术是研究晶体中顺磁杂质离子......
晶体中掺杂过渡离子可以明显地改变材料的光学、磁学和催化等性能,因而广泛应用于半导体掺杂改性领域。材料的上述性能主要由掺杂......
