纳米压印光刻相关论文
在微纳制造的发展过程中,人们追求越来越小型化的器件结构单元。为了满足制造这些器件所需要达到的加工精度,光刻技术的发展成为关......
纳米压印光刻技术是最有前景的纳米加工技术之一,作为下一代半导体光刻技术,具有低成本、高分辨率和高通量的特征,要实现其在纳米......
Lab-on-chip或μ-TAS(micro-total analysi s systemS)结合流体处理、检测及数据分析,是一种便携式的低成本高效器件.在微流体应用......
3.10光刻将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难,今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22 nm半节距DRAM和16 nm半节距......
纳米压印掩膜复制缩减光刻拥有成本随着纳米压印光刻很好地解决了分辨率的问题,关注的焦点转移到了拥有成本(CoO)上。本文重点研究......
纳米压印光刻(Nano Imprint Lithography,NIL)是面向45nm 以下半导体制造工艺下一代光刻技术的主流之一.基于紫外纳米压印光刻是一......
纳米压印技术由于具有操作简单、高分辨率、成本低、重复性高等优点．近年来受到国内外研究机构的高度重视。本文主要介绍了目前主流......
在步进重复式压印光刻中，为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变，建立了单调、无振荡、多......
研究了纳米压印光刻匀胶工艺中抗蚀剂膜厚与抗蚀剂粘度、匀胶转速、匀胶时间和滴胶量之间的关系。实验研究表明，抗蚀剂膜厚与抗蚀剂......
概述了用于45nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线，结合国际半导体技术发展指南（ITRS）和各公司最新宣布的研究成果，探讨了各种光刻......
传统的光学光刻技术由于受光波波长和数值孔径等因素的限制难于制作特征尺度小于100nm的图案.与传统光刻相比,纳米压印光刻的分辨......
对于热压印光刻而言,制备具有精确几何结构、良好耐磨损性能以及长使用寿命模板至关重要。在分析现有Si或SiO2模板使用性能基础上,......
据Molecular Imprints公司的首席执行官Mark Melliar-Smith所言,纳米压印技术明年将稳步跨入硬盘制造舞台,在几年之后达到CMOS高密......
图形化技术是微纳制造过程的核心工艺之一.目前,作为微纳加工主流工艺的光学光刻技术由于受曝光波长衍射极限的物理限制,其技术复......
研究了一种新型的纳米结构制作方法--纳米压印光刻技术.该工艺通过阻蚀剂的物理变形而不是改变其化学特性来实现图形转移,其分辨率......
由于具有高分辨率、高产量、低成本等特点，纳米压印光刻技术被IC业界认为是最具发展前景的下一代光刻技术之一。本文旨在通过对纳米......
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作......
本文介绍了纳米压印光刻技术的原理并进行了相关的实验研究,目的在于研究采用纳米压印光刻技术制备三维微结构的工艺,以促进此项技......
纳米科技是20世纪80年代末逐步发展起来的一门新兴的前沿交叉学科领域,纳米电子学、纳米光学、纳米材料、纳米机械、纳米生物学共......
Lab-on-chip或μ-TAS(micro-totalanalysissystems)结合流体处理、检测及数据分析,是一种便携式的低成本高效器件。在微流体应用中......
阐述了光刻设备技术的的发展,描述了浸没式光刻技术、纳米压印光刻工艺设备基本原理、技术优势,并展望几种光刻技术的前景。......
SUSS Micro Tec，全球领先的三维、MEMS、先进封装、纳米压印设备供应商，于日前宣布，其手动光刻机，外加一个纳米压印的组件，即可对大面积......
