应力感应漏电流相关论文
通过测量界面陷阱的产生 ,研究了超薄栅 n MOS和 p MOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流( SIL C) .在实验结果的基础上 ,发现......
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应......
通过测量界面陷阱的产生，研究了超薄栅nMOS和pMOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流(SILC)．在实验结果的基础上，发现对于不同器件......
在现代CMOS技术中,纳米尺度pMOS器件的NBTI、SILC问题已经成为工业生产中影响电路性能的一个重要问题。当CMOS工艺技术进入到超深......
随着MOs器件尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅泄漏变得愈发显著,对CMOS器件和电路可靠性的影响也愈发严重,成为限制器件及电路寿......
