以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础,分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流......

利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长......

提出了一种新的测试LD内损耗方法，它通过对后腔面镀高反膜，并对前腔面镀不同反射率增透膜，然后根据外微分量子效率倒数1／ηo与1／1n[1／（RfR......