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利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长较短时,阈值电流密度随腔长的变化而迅速变化.
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对Jth和ηd的影响
【摘 要】
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利用LP-MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAs SCH-SQW结构,制作了宽接触条形激光器,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值;腔长较短时,阈值电流密度随腔长的变化而迅速变化
【机 构】
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长春光学精密机械学院
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2002年2期
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