四次光刻相关论文
在基于Oxide有源层四次光刻工艺中,研究了增强型电感耦合等离子体干法刻蚀设备对光刻胶的灰化特性.通过正交实验分析了O2流量、功......
期刊
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、......
在四次光刻工艺中,半光刻制程中光刻胶膜残量的控制,对于TFT沟道形貌以及电学特性至关重要。因此,本文研究了在氧化物TFT-LCD四次......
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺，影响光刻胶灰化的主要因素有功率、......
光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻......
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样......
