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上海华虹NEC电子有限公司近日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所通力合作，开发的6500VTrenchFsIGBT（沟道类型场终止绝......
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目前在高压大电流的应用领域上,IGBT有绝对的统治地位。主要原因是由于IGBT管结合了GTR和MOSFET二者的优点,具有开关速度快,耐压能......
