临界电荷相关论文
针对目前SRAM存储单元所面临的α粒子注入引起的软错误问题,首先采用一个简化的反相器模型,模拟其在α粒子注入时的输出变化;然后......
利用MC工具Geant4研究核反应对于半导体器件单粒子翻转效应（SEU）的影响,构建了研究的一般方法。辐照过程中电学与核反应物理过程的作......
针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随......
文章通过计算机模拟仿真的方法对单粒子翻转（SEU）电荷收集的三种模式进行研究。模拟结果表明,在SEU的三种电荷收集模式中,浓度梯度引......
应用Geant4工具,构造了不同特征尺寸的SRAM单元几何模型及单粒子翻转截面计算模型,分析了敏感体积和临界电荷对低能中子单粒子翻转......
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的M0s晶体管，计算了由这些晶体管组成的静态......
PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷（Critical Charge）是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI M......
建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（0．13～1．50μm）CMOS工艺商用随机静态存储器（SRAM）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效......
针对电荷分布于液滴表面和液滴体内二种带电模型,使用能量分析法,讨论带电液滴的稳定性问题,并且推导出临界电荷的表达式.......
集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下，芯片集成度不断提高，电压不断降低，软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。......
本文报道了为确定CMOS/SOS辐照加固16K存储器中临界电荷Qc与特征尺寸（沟道长度L）的依赖关系所作的实验尝试。单击事件扰动（SEU）实验是......
分析了影响ＣＭＯＳＳＲＡＭ 单粒子翻转效应的时间因素，指出不能仅根据临界电荷来判断发生单粒子翻转效应与否，必须考虑器件的恢复时间、反馈时间和......
目前,集成电路制造工艺进入纳米时代,软错误问题已经成为影响集成电路可靠性的主要因素。同时,栅氧化层厚度随着工艺进步逐渐减小,......
随着国家航天事业的发展和战略需求的增加，半导体器件的抗辐射性能问题受到了广泛的研究，而单粒子效应作为影响宇航器件可靠性的关键......
