软错误率相关论文
开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器(SRAM)大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4300 m高海拔地区大面积器件阵列实......
随着系统级封装（SiP）技术在航天领域的普及,越来越多的星载计算机等航天电子设备已搭载SiP技术封装的多片结构系统,然而由于晶体管特......
集成电路工艺水平的不断提高,使得组合逻辑电路对软错误的敏感性越发突出.为了在集成电路的设计阶段进行软错误率的准确评估,提出......
针对纳米级工艺下瞬态故障引发的软错误可能造成电路失效这一问题,提出一种容软错误的流水线电路加固方案.该方案面向软错误的主要......
软错误对集成电路可靠性的影响随着工艺的进步而日益凸显,相对于存储电路而言,逻辑电路软错误率处于相对次要的位置,如今也逐步引......
随着深亚微米工艺的广泛应用,集成电路特征尺寸急剧减小,于此同时,工作电压持续降低,工作频率急剧升高,这一切都使得集成电路对于......
随着器件特征尺寸的减小,单粒子效应成为影响CMOS工艺空间辐射环境可靠性的关键因素之一。未来航天和国防系统需要了解新型工艺中......
基于北京HI-13串列加速器质子源及技术改进工作,获得2~15 MeV低能质子束流。针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储器(SR......
为了提高基于SRAM的FPGA(SFPGA)上的容软错误能力,提出了一种基于软错误率(softerror rate,SER)评估的装箱算法SER-Tvpack.通过结......
提出了一种快速、精确查找组合逻辑电路失效位置的方法。这种方法对高辐射电路的可靠性评估很有意义。这种方法是通过对电路失效原......
Technology scaling results in the propagation-induced pulse broadening and quenching(PIPBQ) effect become more noticeabl......
目的调查航空电子设备在典型民用飞行高度(8 000~12 000 m)下大气辐射环境的危害影响。方法利用14 MeV高能中子源对航空电子设备用......
逻辑电路中NMOS管或者PMOS管受到高能粒子撞击,会产生单粒子瞬态脉冲错误。针对这种现象,提出一种识别和选择电路中敏感结点的新方......
为在设计阶段快速评估集成电路的软错误率,以指导高可靠集成电路的设计,提出一种适用于组合逻辑电路和时序逻辑电路组合逻辑部分的......
工艺尺寸的降低导致组合电路对软错误的敏感性越发突出,由负偏置温度不稳定性(NBTI)效应引起的老化现象越发不容忽视.为了准确地评......
为了准确评估集成电路的软错误率（soft error rate，SER），文章提出一种新颖的电路SER评估方法。通过门级仿真获得逻辑门输出信号，将产生......
基于北京HI-13串列加速器质子源及技术改进工作,获得2~15 MeV低能质子束流。针对商业级65nm工艺4M×18bit大容量随机静态存储......
随着半导体工艺技术的发展,节点电容和电源电压的减小加剧了软错误对集成电路设计的影响.高能带电粒子入射SRAM单元敏感节点引起的......
随着工艺尺寸的不断缩小，由单粒子瞬态（SingleEventTransient，SET）效应引起的软错误已经成为影响宇航用深亚微米VLSI电路可靠性的主要......
基于频域的软错误率分析方法可实现快速而精确地分析组合逻辑中软错误的电气屏蔽特性和窗闩屏蔽特性.该方法利用信号和逻辑门的频......
为了提高基于SRAM的FPGA（SFPGA）上的容软错误能力,提出了一种基于软错误率（soft error rate,SER）评估的装箱算法SER-Tvpack.通过结合软......
随着航天事业的迅猛发展,SRAM型FPGA(Field Programmable Gate Array)因其具有可重复编程、功耗低等众多优点得到广泛的应用。然而......
随着工艺尺寸的不断缩小,组合电路引起的SER（Soft Error Rates）越来越严重。针对使用HSPICE计算组合电路软错误率速度较慢以及使用传......
为了提高芯片抗辐照性能,提出了一种基于电荷共享效应的组合电路软错误率优化布局方法.首先减少已有quenching单元对间距以增强脉......
通过研究单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)在逻辑链路中的传输,表明输入脉冲宽度对脉冲在传输过程中的展宽和衰减有重要影......
大气中子单粒子效应导致的集成电路软错误给应用于地面和大气层中的具有高可靠性要求的电子系统带来了严重的失效风险,因此有必要......
空间辐射环境中大量存在的高能质子能使卫星中的微电子器件发生单粒子效应,严重影响器件的工作稳定性。因此,预估星用器件的质子单......
随着集成电路工艺水平的不断进步,芯片集成度和性能大幅提升,而其面积和供电电压却不断减小。但是,工艺尺寸的不断缩减对集成电路......
我国航天科技的飞速发展,使得空间应用抗辐射集成电路的研究已经成为学术界和工业界的关注重点。随着工艺尺寸的缩减以及时钟频率......
集成电路工艺已经发展到纳米量级。在纳米级工艺下，芯片集成度不断提高，电压不断降低，软错误问题已经开始对地面的集成电路产生影响。......
随着科技的进步,电子器件的数字化和集成度日益提高,以数字集成电路为核心的电子器件在空间通信与信息系统中发挥着重要的作用。然......
随着手持移动设备的蓬勃发展,人们对SOC中高性能嵌入式DRAM提出了更多的要求。不仅需要其仍然保留在记忆密度和电路功耗上的固有优......
半导体制造技术的持续发展,使得如今的纳米尺寸集成电路中晶体管尺寸、供电电压和关键电荷持续减小,由于集成电路已广泛应用于生产......
随着电子技术的发展,大规模集成电路被广泛应用于航空、航天领域。空间环境中存在大量辐射粒子,由这些粒子引发的软错误干扰电子设......
以数字集成电路为基础的各类微处理器和微控制器广泛应用于社会的各个行业,处于信息采集和处理的中心位置。由于集成电路的基础地......
目前,集成电路制造工艺进入纳米时代,软错误问题已经成为影响集成电路可靠性的主要因素。同时,栅氧化层厚度随着工艺进步逐渐减小,......
使用最新版本的SpaceRadiation7.0软件对典型卫星轨道（包括地球同步轨道、中地轨道和低地轨道）的空间辐射环境进行提取和计算,分析不......
提出了一种基于向量传播的单粒子瞬态(SET)模拟方法。基于4值参数的模型来表征SET脉冲的形状,建立脉冲参数传播的数据库。使用查找......
