rf-MBE相关论文
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外......
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本文报道了用低压MOVPE和RF-分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的GaN生长.以"双～单层"模型讨论了用MOVPE和MBE法在蓝宝石衬底上......
用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子......
利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生......
用射频等离子体辅助分子束外延技术 ( RF- MBE)在 c面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al N/Ga N超晶格结构极化感应二维电......
A Ga wetting layer was used to modify the surface structure of sapphire (0001) substrate to prepare high-quality ZnO fil......
利用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮（AlInGaN）四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的Al......
采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学......
