MgO薄膜相关论文
近年来MgO粉末与薄膜均被报道具有室温铁磁性[1-2],但对于其磁性来源尚存在争议[3-4].本文采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同温度制备......
我们利用时间分辨的磁光克尔效应研究了面内各向异性CoFeB/MgO薄膜的磁化强度动力学过程。通过实验得到的时间分辨克尔曲线，我......
MgO薄膜由于具有次级电子发射系数(δ)高、化学稳定性好,已广泛应用于多种光电倍增管、微通道板图像增强器、等离子体平板显示器。......
采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对(100)MgO择优取向......
采用自制超声喷雾热解装置制得MgO薄膜,用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计等研究了MgO薄膜的晶体及微观结构。结......
我们使用DFT计算研究了金团簇Au8在MgO/Ag(100)表面上催化分解水的过程.MgO薄膜在金属衬底上的体系是很好的化学反应平台，具有......
利用反应磁控溅射的方法在Si衬底生长MgO晶粒,通过改变溅射过程中的温度以及溅射室内Ar与O2气体流量,来调整MgO薄膜的晶粒生长.随......
长期以来,材料研究者一直在探索一种沉积速度快,成膜质量高,适合批量生产,并对彩色PDP电气特性有所提高的MgO薄膜制备工艺方法.该......
该文所做的主要工作和取的创造性成果有:1、深入研究了电子束蒸发制备的MgO薄膜的特性以及基底温度,沉积速率,通氧气量等工艺参数......
脉冲偏压真空电弧离子镀技术具有瞬间能量密度高、平均能量密度低的特点，与传统的直流偏压技术相比，不仅在低温下可制备致密的薄膜，还......
用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜。对生长、制备出的一系列MgO薄膜......
研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子......
采用电子束蒸镀法在H2O+ O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体......
用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜.对生长、制备出的一系列MgO薄膜......
采用脉冲偏压电弧离子沉积技术在玻璃基片上制备了透明的、具有择优取向的MgO薄膜。针对绝缘性薄膜表面的荷电效应,比较了脉冲偏压......
基于荫罩式等离子显示器试验平台测试了高Xe混合气体条件下对向放电的帕邢曲线，并使用本地场近似的流体模型计算了10％～80％Xe浓度下放电......
采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃衬底上制备出了具有择优取向的透明MgO薄膜．利用卢瑟福背散射谱、X射线衍射仪、扫描电子显微镜......
结合等离子体显示器件(PDP)的放电机理,论述了PDP中MgO保护膜的二次电子发射过程:势能型发射和动能型发射.讨论了两种二次电子发射......
采用脉冲激光沉积法（PLD）制备了FePt：MgO多层复合薄膜。采用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析了薄膜的结构;采用紫外可见分光光度计分析......
采用阴极真空电弧离子沉积技术在硅基片上制备出了MgO薄膜。利用椭圆偏振光谱、原子力显微镜及扫描电子显微镜分别对不同氧流量下......
以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律......
提升正极材料的电化学性能是锂离子电池系统能量密度和容量密度提升的关键。高镍三元正极材料(LiNixCoyMn1x–yO2,x>0.5)因其具有......
采用磁控溅射法在石英衬底上制备了MgO薄膜并分别在不同温度下进行退火处理。利用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）研究了MgO薄......
以无机盐为原料，用溶胶-凝胶技术在Si（111）衬底上制备（100）取向MgO薄膜。镁硝酸盐的冰醋酸溶液加热回流转化形成的Mg（CH3COO）2，与乙酰丙酮（A......
金刚石的异质外延生长过程需要高质量的衬底材料,为了得到异质外延的高度定向金刚石薄膜,需要设计一种能够高度取向一致生长的适合......
以分析纯Ca（OH）2为原料,经成型、煅烧后,将其破碎为2.5-5 mm颗粒,制成CaO砂,在其表面包裹电熔MgO细粉,分别于1500℃、1600℃×3 ......
用反应磁控溅射的方法制备了MgO薄膜.基于原子力显微镜观测,并借助Fourier变换,计算了薄膜表面形貌的分形维数.发现分形维数变化对......
次级电子发射是一种涉及带电粒子与固体表面间相互作用的复杂过程.MgO薄膜具有较高的次级电子发射系数和化学稳定性,在多种光电倍......
采用电泳沉积法（EPD）在Si（111）衬底上制备出了MgO薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收（FTIR）谱、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）对样品的结......
采用溶胶-凝胶工艺制备了MgO薄膜.X射线衍射谱显示,随热处理温度升高,薄膜结晶质量提高;原子力显微镜观测也得到相同的结果,且随热......
综述了MgO薄膜的主要制备方法，包括电子束蒸发、脉冲激光沉积、磁控溅射、金属有机物化学气相沉积、分子束外延和溶胶-凝胶法等。阐......
采用直流反应磁控溅射法在Si衬底上引入ZnO缓冲层制备了沿（200）晶面择优取向生长的MgO薄膜，然后分别采用快速退火和常规退火两种不同......
采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微......
MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够......
MgO属于面心立方结构,晶格常数为4.213（?）,具有很多优良的性质,可作为功能性氧化物薄膜材料与硅衬底之间的缓冲层、等离子体显示器（PD......
忆阻器是一种新型电子器件,兼具信息储存和逻辑运算功能,在非传统计算机及模拟神经网络等方面有重要研究价值;瞬态电子器件是指在......
研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密......
MgO薄膜具有很好的热稳定性、化学稳定性和电绝缘性能，且与常见的功能性薄膜材料如PZT、YBCO等具有非常接近的晶格常数，因此常作为Si......
综述了具有二次电子发射功能的MgO薄膜的主要制备方法,包括电子束蒸发、磁控溅射、溶胶-凝胶、分子束外延和脉冲激光沉积法。阐述......
用一种简单的方法制得MgO的前驱溶液并用溶胶凝胶法在Si(100)和Si(111)衬底上制备出( 111 )择优取向的MgO薄膜.使用X射线衍射曲线......
硅微通道板是90年代以后提出的一种全新的基于半导体工艺技术而形成的图像增强器件。与传统的玻璃微通道板相比,硅微通道板在技术......
