GaN-LED相关论文
以中心波长为650nm的氮化镓LED外延片为研究对象,提出了一种反射式表面等离激元增强型LED来提高其发光效率。该结构包含依次覆盖在......
模拟计算了光的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于23°时，发生全反射，无论是否在器件表面生长增透膜，这时的光都无法从器......
GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为新一代固体光源,因其能耗低、寿命长、环保等优点已得到广泛应用。但LED的应用仍......
通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数，并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果．从实验结果可以看出，当ICP功......
石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了......
发光二极管(LED)因体积小、寿命长、耗能低等一系列优点而被广泛应用。但随着LED功率的不断增大,芯片电流拥挤、结温过高严重影响L......
