氮化镓基发光二极管相关论文
研究了3D层的生长温度对蓝宝石图形化衬底上生长GaN性能的影响。采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)，在2英寸蓝宝石图形化衬底上......
为了减少发光量子阱区的缺陷，缓解量子阱区的应力，减小极化效应，提高量子阱结晶质量，降低效率衰减，提高发光效率，本文采用了n-AlInGaN作......
基于图形化蓝宝石衬底的GaN基LED器件光功率相比平板蓝宝石衬底的GaN基LED器件有很大增加，是提高氮化镓基发光二极管出光效率的......
近年来，氮化镓基发光二极管发展迅猛，但其低的外量子效率严重制约了发光二极管在半导体照明领域的广泛发展，本文主要研究了如何提高发......
GaN基LED因其节能环保等优点成为固态照明中的明星,目前在交通信号灯,全色LED显示屏,液晶显示器背光源方面已经占据优势地位,而取......
研究了热退火对InGaN／GaN多量子阱LED的Ni／Au-·p-GaN欧姆接触的影响。发现在空气和N：气氛中交替地进行热退火的过程中Ni／Au接触特......
模拟计算了光的入射角度与反射率的关系，当光的入射角度大于23°时，发生全反射，无论是否在器件表面生长增透膜，这时的光都无法从器......
采用基于Cl2／Ar／BCl3气体的感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED，研究......
在传统蓝宝石衬底（CSS）和图形化蓝宝石衬底（PSS）上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管（LEDs）,测试并比较了这两种不同衬底器件的电......
在简要阐述硅基与蓝宝石衬底的GaN研究与发展基础上,就此两种不同衬底上GaN-LEDs性能进行了对比分析,并对这两种衬底上的LED进行了......
介绍了通过二氧化硅增透膜来提高GaN基LED光提取效率，采用等离子体增强气相沉积法（PECVD）制备了二氧化硅钝化膜，经对器件的测试表明，在......
近年来,随着半导体材料及器件设计水平和制备技术的发展,发光二极管(LED)的性能指标迅速提高,在半导体照明领域引起了广泛关注和研......
基于水面乳胶颗粒的自组装特性，通过将稀释的聚苯乙烯球铺展在去离子水中，用表面活性剂加固后将其转移到氮化钾基发光二极管（简称GaN......
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,......
多晶的或无定形的透明导电氧化物（Transparent conducting oxides,简称TCOs）,由于其独特的光学和电学性能,成为近年来研究的热点。其......
以直流磁控反应溅射法(RMS)在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)外延生长了GaN基LED......
尽管发光二极管(LED)已投产十余年,但是市面上所有的LED灯具都是直流(DC)发光二极管产品,所以在交流电供电时必须进行AC/DC转换。......
在本论文中，通过对侧表面粗糙化和倾斜侧面的实验研究和理论研究，提高氮化镓基发光二极管的侧面光出射效率。同时也计算了氮化镓基发......
