DMOS相关论文
基于现有标准DMOS设计技术，通过优化高压IGBT＆FRD芯片及其模块结构，降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻，改善模块散热．提高最高工作......
在这评论，我们考察关于基于 ZnO 、基于 In2O3 的冲淡的磁性的氧化物(DMO ) 的研究的进步。第一，我们在场 DMO 的准备和描述。前者包......
图1(见57页)所示Spice宏模型精确地模拟了双扩散(DMOS)功率MOSFET晶体管。尽管Spice模型作为任何种类运算放大器是很容易得到的,......
● 已经用于生产的 3 0 0 mm生产线公司 /合作伙伴 30 0 mm生产线位置国家 /地区30 0 mm建造/改造日起动日 /预计起动日30 0 mm净......
A novel over-voltage protection method for 600V SPIC (Smart Power IC) is proposed in this paper. The combining FFLRs (F......
意法半导体推出一款8位移位寄存器芯片STPIC6C595。新器件以低侧DMOS 输出晶体管为特色，可以驱动包括发光二极管（LDE）、继电器和螺线......
飞利浦电子集团推出业界体积最小的DVD+RW(可重复刻录DVD机)电动机驱动器集成电路。DVD+RW在DVD市场中发展十分迅速。飞利浦SA562......
杰尔系统Agere Systems近日宣布:已向NEC交付了用于其第三代(3G)无线基站设备的高性能射频(RF)功率晶体管。这些器件可使NEC的基......
通过对参选fab厂在富有经验的晶圆制造能力(包括:晶圆尺寸、最小CD尺寸和晶圆月产量等);能够执行新的先进的制造工艺;能够在全部流......
基于规范化分段线性模型技术,建立了高压DMOS器件的SPICE宏模型用于功率集成电路的仿真.从等效电路模型出发,利用Powell算法找到规......
This paper presents a high dimming ratio light emitting diode (LED) drive controller chip with digital mode dimming (DMD......
领先业界的高整合创新电源管理半导体解决方案提供业者——德商Dialog半导体公司与TSMC共同宣布,双方正密切合作,为移动产品的高效......
领先业界的高整合创新电源管理半导体解决方案提供业者——德商Dialog半导体公司与TSMC2月23日共同宣布,双方正密切合作,为移动产......
TSMC近日推出模组化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产高电压的整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供1......
An organically modified silicate(ORMOSIL) based optical sensor response to gaseous O2 or O2 dissolved in water is presen......
The ESD response characteristic in a p-type symmetric lateral DMOS(ps-LDMOS) has been investigated. The experimental res......
A new semi-insulation structure in which one isolated island is connected to the substrate was proposed.Based on this se......
A novel dual-directional silicon controlled rectifier(DDSCR) device with embedded PNP structure(DDSCR-PNP) is proposed f......
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......
介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JB......
为了研究杂质分布对器件性能的影响模仿双扩散MCS（D—MOS）和V—沟道MOS（V—MOS）晶体管的结构,改变的工艺系数选用沟道长度了沟道掺杂值......
引言静态存储器存储单元是靠触发器存储数据,通过正反馈,信息存在负载管与驱动管相连的节点上。所以信息能长久保持,不需要刷新。......
美国《电子学》杂志刊登了以目前提高大规模集成电路性能五项技术和各公司的计划情况。五项技术分别是:短沟道 MOS(英特尔公司称之......
VMOS 工艺是采用纵向结构来提高集成度。元件尺寸按比例缩小来提高集成度时,N 沟 MOS 工艺遇到的短沟道效应就可以顺利解决了。因......
一、序言在大规模集成电路发展史上,MOS 电路一直起主导作用。最先发展的是 PMOS 工艺,1969年已投入生产。但 P 沟电路的载流子迁......
前言 半导体器件制造工艺于六十年代末采用了离子注入工艺,它与扩散工艺相比较,具有掺杂均匀,浓度和深度容易控制,并能透过氧化层......
这种新的纵向功率MOSFET结构称为U形槽MOSFET(RMOS),它是采用反应离子腐蚀(RIBE)技术形成U形槽后提供纵向沟道。这种结构的特点在......
本文提出一种称为矩形槽的新型垂直功率M0SFET结构,它以反应性离子豺蚀技术所形成的矩形槽的两壁做为垂直沟道。该结构的特点是;导......
本文介绍了汽车风档刮水器马达用的功率DMOS半桥(R_(on)=40mΩ,工作电压30伏,峰值电流30安)。双速(直流和20kHz脉宽调制输出)、马......
智能功率集成电路SPIC是把低压控制和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现具有防止短路,过载,高温和过大功率等功能.对于较低......
承接了一项对AT&T公司现有的功率集成电路工艺(BCDMOS)从总剂量、γ剂量率、SEU和中子四方面进行核加固的研究课题。研究工作的重......
用薄膜电致发光屏制做的显示器,以它更坚固和更节能而引起了用户的兴趣,尤其是象军用部门对可靠性要求较高的地方。目前,用户已提......
本文研究了适合于水下声成像用的多层结构PVDF-DMOS压电接收挟能器之方向特性。给出了两类典型的多层结构声传输模型,获得了它们的......
广播电视系统数字技术发展迅猛,广播电视系统数字信号的测试标准或在研制,或在完善。长期以来,业内对数字视频的讨论大多数集中在......
Optical sensing films using organically modified silicates (ormosils) as a matrix for the determination of ammonia in wa......
期刊
Researching the non-uniform channel DMOS is the basic knowledge of the new generation high voltage power MOS devices and......
本文介绍了贵州广播电视台高清后期制作网对不同编码的视频质量进行综合测试的过程,同时对测试过程中出现的问题和解决方法展开讨......
介绍了数据挖掘技术（DMOS）优化软件在N-甲酰吗啉芳烃抽提装置上的具体运用过程及效果。通过收集工艺参数的历史数据,将所有相关变量......
介绍L4970A大功率单片集成开关电源芯片的内部结构、电路特点、工作原理和应用电路....
<正> 一问题的提出近几年来,PC机以及与其兼容的进口和国产16位机在国内大量普及,已成为计算机应用的主流机种。对引进的众多系统......
