CoolMOS相关论文
Cool MOS具有优越的直流特性.为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡理论,分析了其高击穿电压BV、......
高能效之道就是产品和解决方案要确保大幅降低电子设备和机器的能耗。英飞凌通过提供最新的IGBT、CoolMOS、OptiMOS和碳化硅(SiC)......
近期英飞凌科技公司宣布,雅达电源最终选定其CoolMOS CS服务器系列高性能功率晶体管作为其高端服务器应用的电源系统解决方案.利用......
COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特点是由其组成的开关电源,在市电......
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英飞凌科技推出650V CoolMOS CFDA。这是配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V ......
Cool MOSCE／P7是英飞凌市场领先的高压功率MOSFET的技术平台，根据超结原理（SJ）设计，旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大，英飞凌现......
分析了利用多次外延／离子注入工艺方法制造的高压CoolMOS（〉650V）的准饱和现象，与普通的低压CoolMOS的准饱和现象进行了对比。结果发现......
期刊
碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性......
<正>英飞凌日前推出下一代MOSFET600V CoolMOS C6系列,可以将PFC或PWM电源转换产品的电源效率大幅提升。全新C6技术融合了超结结构......
为了克服传统功率MOS导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或CoolMOS,CoolMOS由一系列的P型......
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核心专利带动技术发展。本文检索了COOLMOS核心专利的引文专利数据,分析了这些专利的申请趋势、主要申请人,以英飞凌为代表进一步......
