金属有机物化学气相淀积相关论文
运用高温AlN缓冲层在Si(111)衬底上得到了高度取向的纤锌矿结构GaN.SEM测试微裂纹密度较低,裂纹间距在100ìm以上.x射线衍射的(000......
会议
本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)制备AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫......
介绍了MOCVD设备射频感应加热系统的工作原理及技术特点.结合射频感应加热系统的组成,详细叙述各主要模块的典型故障及维修技术,重......
期刊
Ⅲ族氮化物材料其带隙可从0.7eV到6.2eV连续可调的特性，加之直接带隙对于光电应用的优越性，使其能够成为发展近红外-可见光-紫外波段......
学位
半导体激光器具有体积小、重量轻、转换效率高、寿命长等优势，应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。半......
AlN材料以其高禁带宽度、击穿电场强、热导率高和高紫外透过率等优越的物理、光学和电学性质,在大功率器件、耐高压器件、高温器件......
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,......
以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并......
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学......
期刊
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致......
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升......
采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。......
采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝（TMAl）流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响......
利用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上采用AlN缓冲层制备了Mg掺杂Al0.5Ga0.5N薄膜。采用CL测试方法研究了Mg掺杂对Al0.5Ga0.5N薄膜光学......
讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组Zn......
采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量及表面形貌的......
简要论述了半导体纳米材料的发展历史及其特点，着重讨论了当前国内外主要的几种半导体纳米材料的制备工艺技术，包括溶胶-凝胶法、微......
简要说明了红外辐射测量技术的工作原理与理论基础以及红外测量的特点。MOCVD硅片外延生长过程中反射率是实时变化的，但传统红外测......
GaN—MOCVD是生产GaN基半导体材料和器件的关键设备，其国产化、产业化必须解决国外专利制约、降低成本、计算机模拟和仿真以及尾气......
利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器（VCSEL）的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从......
利用金属有机物化学气相淀积系统(MOCVD)制备了AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分......
期刊
报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4......
综述了紫外探测器的实际应用,特别介绍了紫外预警系统的作用原理;详细介绍了GaN基材料及其生长方法;对MOCVD法制备GaN基材料的过程......
提出用AlGaAs材料为n型下DBR,AlGaInP材料为p型上DBR,GaInP/AlGaInP多量子阱为有源区来制备650 nm波长的共振腔发光二极管(RCLED).......
期刊
采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As／AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性，......
采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN／GaNHEMT结构材料。生长过程中采用了EpiTUNE Ⅱ在位监测技术，对材料生......
介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术（MOCVD、MBE、HVPE）、衬底材料的选择及缓冲层技术；分析得出目前存在的GaN体单晶技......
利用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术，生长了A1GaInAs／A1GaAs分别限制压应变单量子阱材料，利用该材料制成3mm宽、填充因子20％的半导体激......
通过在N型分布布拉格反射镜(DBR)中采用高热导率AlAs材料,且增加AlAs层所占的厚度比例,在保持DBR反射率基本不变的情况下,大幅度增......
在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降低阻容迟滞(RC Delay)，保证信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行......
学位
当今，虽然GaN基LED已经实现了广泛的商业化应用，但是其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果。主要原因之一在于缺少高质量的GaN......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料及2DEG具有优越的电学性能,使得GaN基高电子迁移率晶体管在抗击穿、耐高温及微波功率器件应用方面极具潜......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
三元化合物InGaAs是比较重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，它可以由InAs和GaAs两种材料以任何配比形成，晶格常数随组分近似为线性变化，可以从G......
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱InGaAs/AlGaAs,并且对其进行了光致发光(PL)谱、双晶X射线衍射(D......
为了更好地研究GaN材料生长过程，笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了......
期刊
白光发光二极管LED(Light Emitting Diode)由于具有亮度高、寿命长、节能、绿色环保等显著优点,被公认为下一代照明光源。其中单片......
在过去的几十年中,量子点异质结构由于其独特的光电特性吸引了全球范围内众多研究者的兴趣。特别是采用InAs/GaAs自组织量子点作为......
GaN材料被喻为第三代半导体材料,不仅可以用于微电子器件制造,还可以制造从可见光到紫外波段的光电子器件,在制造白光LED方面更是......
学位
由于现代外延生长技术的不断完善，使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展．本文概述了目前半导体材料与器件研究......
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学......
采用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术,对p型GaN∶Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学......
利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明......
期刊
