负偏置温度不稳定性相关论文
随着制造工艺的不断进步，老化效应导致的动态参数偏差和漏电给集成电路的可靠性带来了严峻挑战。目前关于电路老化和漏电的协同优化......
高扇入多米诺或门是高性能集成电路中常用的动态电路，而负偏置温度不稳定性降低了多米诺或门的噪声容限并增大了其传输时延。本文提......
负偏置温度不稳定(NBTI)引发的动态参数偏差给集成电路的生命期可靠性带来严重威胁。已有的方法主要通过设计片上检测电路实时监测......
随着集成电路工艺尺寸下降到纳米级,负偏置温度不稳定性(NBTI)成为影响电路可靠性的首要老化效应.精确的老化预测模型是节省防护开......
随着晶体管工艺尺寸的下降,数字电路的集成度日趋上升,在满足高性能的同时,老化成为影响电路可靠度的主导因素之一。尤其在电路生......
随着半导体工艺进入纳米时代,负偏置温度不稳定性等机制对电路造成的影响将不可忽略,在这些失效机理长时间的作用下,电路中的老化......
随着晶体管研制水平到达纳米尺寸,电路可靠性问题愈发严重,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)导致......
随着CMOS集成电路按比例缩小,集成电路设计在CMOS时代的后期面临不断增加的可变性和可靠性问题的挑战。即使在容错应用中,由晶体管......
随着CMOS技术进入到超深亚微米技术时代，氮氧硅作为栅介质已得到广泛的应用。以PMOS器件在负偏压温度应力引起的阈值电压不稳定性(N......
随着集成电路的发展和制造工艺的进步，半导体器件特征尺寸急剧减小至超深亚微米甚至纳米尺度。尺寸缩小带来了低功耗、高速度等优点......
集成电路制造工艺的发展使得器件的尺寸进一步缩小，进入了纳米层级，这带来了一些影响电路可靠性和稳定性的问题，比如负偏执温度不稳定......
随着集成电路的特征尺寸进入纳米级，传统的CMOS等比例缩小越来越难以持续。应变硅具有带隙可调、载流子迁移率高等优点，因此，被认为是......
目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一.但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起......
纳米工艺下,负偏置温度不稳定性（NBTI）成为影响电路老化效应的主导因素.多输入向量控制（M-IVC）是缓解由于NBTI效应引起电路老化的有效......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素.NBTI效应......
摘要：随着现代技术的大力发展，集成电路的可靠性日益严重。负偏置温度不稳定性引起的电路老化，高能粒子轰击组合逻辑电路产生软错误，是......
工艺尺寸的降低导致组合电路对软错误的敏感性越发突出,由负偏置温度不稳定性(NBTI)效应引起的老化现象越发不容忽视.为了准确地评......
纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性（negative bias temperature instability,NBTI）成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应......
CMOS集成电路中由负温度不稳定性效应引起的老化已经严重威胁电路的可靠性，在一些安全关键领域的数字电路系统中老化问题尤为突出，而......
为了应对集成电路老化对电子系统可靠性带来的威胁,提出一种应用关键路径漏电流变化进行负偏置温度不稳定性老化预测的方法.首先用......
为解决现有门替换技术应用中存在的时延仿真不精确和关键门选取冗余问题,对时序分析方法进行改进,通过引入电路内部节点信息,准确......
针对现有选取方法直接以输入向量控制（IVC）产生电路最小时延为目标,不能有效地发挥门替换（GR）技术优势的问题,提出一种输入控制向量选......
负偏置温度不稳定性引起的晶体管老化已经成为影响集成电路可靠性的重要因素。高扇入多米诺或门是高性能集成电路中常用的动态电路......
65nm及以下工艺,负偏置温度不稳定性（NBTI）是限制电路生命周期,导致电路老化甚至失效的最主要因素。本文提出了基于NBTI的时序分析框......
为了解决老化预测传感器中存在软错误问题,采用在老化预测传感器的延迟单元加入C单元的方法。模拟老化预测传感器受到外界干扰并引......
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随着云计算和大数据时代的到来,人们对集成电路可靠性的要求越来越高。再加上晶体管尺寸及栅氧厚度的不断缩小,NBTI效应已经成为影......
当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于......
针对现有多输入向量控制(M-IVC)缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)引起的电路老化的方法仅考虑到输入信号占空比约束的问题,提出一种同......
电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递。基于32nm CMOS工艺,在100℃下,分析了NBTI老化对传......
随着集成电路的工艺水平进入到纳米层级时,器件的诸多负面效应逐渐突显出来,其中负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature I......
通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究,发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应......
在关键门输入端插入传输门(TG)是缓解负偏置温度不稳定性(NBTI)效应的一种有效方法,因此关键门的精确识别至关重要。针对现有关键......
负偏置温度不稳定性为主的老化会造成时序违规故障及软错误故障。为此，提出软错误与老化在线检测器（SEAOS）。在器件正常工作的情况下，......
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性......
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随着集成电路工艺水平的不断进步,芯片集成度和性能大幅提升,而其面积和供电电压却不断减小。但是,工艺尺寸的不断缩减对集成电路......
集成电路制造工艺的不断进步,带来电路性能上的极大提升和制造成本的不断降低,但同时也使得集成电路系统的可靠性问题变得更加严峻......
随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性。为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,......
随着集成电路的工艺水平进入纳米级时代,负偏置温度不稳定(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)效应引起的老化效应已经......
集成电路在纳米工艺下,负偏置温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability,NBTI）已经成为了引起电路老化的主要因素。NBTI......
随着CMOS工艺特征尺寸的不断缩小,晶体管的老化效应严重影响了电路的可靠性,负偏置温度不稳定性(NBTI)是造成晶体管老化的主要因素......
随着科学技术的飞速发展,数字集成电路生产工艺进入纳米级阶段,集成电路的可靠性出现了多种问题。影响时序电路可靠性的主要因素有......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)效应引起的电路老化成为威胁数字集成电路可......
