离子抛光相关论文
离子减薄术可以制备优质牙釉超薄区,供 HBEM 观察釉晶。研究中发现,离子束对牙矿物晶体组织有不同刻蚀作用,为牙硬组织的超微结构......
针对煤体结构不同的构造煤样,利用氩离子抛光扫描电镜、等温吸附和低温液氮吸附等实验手段,对研究区煤样孔隙特征及吸附性能进行了......
本文介绍了硅的铜离子化学机械抛光法,指出这是获得高镜面、快速抛光的方法之一.该方法与络离子抛光法相比,工效可以提高十倍左右.......
近年来,发展了离子抛光技术。从1965年以来,国外有些文献报导了这方面的消息和研究成果。美国有些单位专门致力于这方面的研究工......
研究表明,泥页岩中不同有机母质类型可以发育不同特征的有机质孔隙。用Ar离子抛光场发射扫描电镜照片观察结合XRD分析、EDS能谱分......
1971年,有人提出了采用离子抛光技术来解决光学表面的激光感生损坏阈的问题。这建议的根据是离子抛光在除掉表面污染和减低表面粗......
本文对 PCl_3-H_2-In 体系外延生长的热力学进行了计算。对影响外延生长速度的因素进行了详尽的讨论,发现竞争生长是影响生长速度......
四机部半导体专业情报网组织召开的《切磨抛技术交流会》于1980年5月13日至18日在重庆召开.来自全国各厂、所、院校等116个单位的......
众所周知,基片中的缺陷能引起扩硼二极管反向漏电增大、扩磷三极管发射极收集极局部穿通,造成管芯成品率大大下降。通过实验证明,......
本文说明了GaAs的衬底制备对于器件的重要性;分析了过去的抛光方法的缺点,提出了“填隙式”抛光的现象和成因,介绍了我们所作的若......
我厂生产的3CTK50A~1000A类型的快速可控硅元件,硅片氧化前的抛光工序过去一直采用氧化镁(MgO)机械抛光工艺。随着国民经济的发展,......
在半导体器件制造中,一般说来,半导体晶体中的位错过多,会使器件性能变坏,这是由于位错提供了杂质沉积的核心,从而造成微等离子击......
在以往的低功耗运算放大器中,以及试制P-24电路中经常发现:①单结二次击穿较多,击穿低且漏电大。②重复性差,同一批片子(或同一片......
半导体表面层内存在高复合中心时,zcrbst公式需要加以修正.经修正后的公式表明,Zerbst图是非线性的,利用它可同时决定表面层内少子......
抛光是半导本器件生产中的关键基本工艺之一。在现用的硅片抛光工艺中,公认以NaOH为化学介质的SiO_2胶体或悬浮液抛光,比铬离子抛......
本文采用玻碳电极经用离子抛光法抛光,其光洁度为▽_(14)(▽_(14)-四花14级,系国家金属表面最高光浩度),直接与极谱仪联用代替滴......
本文介绍的自制离子减薄仪,主要是改进了试样台的设计,并对离子枪、照明监视系统等也进行了简化。经改进后的试样台不仅避免了试样......
页岩的力学性质对于储层的钻完井设计、压裂施工等都起着极为重要的影响。以下扬子盆地古生代海相页岩为研究对象,采用亚离子抛光......
用热压法烧制了双晶衬底,用激光沉积技术制作了同质量的YBCO超导膜,然后通过普通光刻和离子束刻蚀制成双晶结和dc SOUID.研究表明,......
金属基复合材料的制样难点在于基体和增强相物理性能差异大,采用机械-化学抛光、电解抛光等传统方法制样效率较低。离子抛光的制样......
目前,氩离子束抛光制备截面样品凭借其易于获得大面积平整表面以及适用范围广等优势被人们广泛采用。本文以单晶硅片为典型样品,通......
本文介绍了超精加工技术与超微结构材料特性及其在航空、航天技术方面的应用。主要就飞行控制与惯性导航等机载设备的一些敏感器件......
针对不同增强相含量的钛基复合材料,利用离子抛光方法对比了不同增强相含量的抛光形貌、抛光成形参数和抛光表面粗糙度的影响。发......
目的减小Ni/Ti多层膜表面粗糙度。提高Ni/Ti多层膜对中子柬的反射率。方法采用离子束辅助沉积设备沉积Ni/Ti周期性多层膜,通过不同抛光......
电解抛光装置简单,过程迅速,但加工精度仅在微米级别。离子抛光具有原子、分子量级的加工精度,但设备复杂,耗时较长。本文结合两种......