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利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器、内光学损耗为2.1c......
本文就InAs/GaAs量子点材料的发光和激射特性的研究作一简单介绍.并对所得结果进行了讨论....
计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系。根据Ｂ－Ｄ条件：ΔＦ〉ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｅｌ＋Ｅｖｌ，得到了ΔＦ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃｌ＋Ｅｖｌ与载流子密度的关系，并得到不......
