湿法清洗相关论文
湿法清洗制程是影响集成电路芯片良率的重要因素，气动液体隔膜阀是湿法装备中核心零部件之一。为了解决阀门的生产问题，以集成电路用......
目前的工业化生产中主要通过化学机械抛光来清洗平片，经过抛光后的平片表面布满悬挂键，表面活性高，极易吸引污染物。本文对LED用蓝宝......
期刊
在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题.通过控制清洗过程中的工艺参数,增加......
利用臭氧消毒水和淡氟氢酸清洗技术,使设备生产厂家的单晶圆旋转清洗工艺适应向小型生产线转入的应用,从而使生产周期的缩短成为可......
用一种顺流微波等离子干法除胶设备开发出了一种享有专利的等离子工艺,该工艺可满足后道工序中铜及低k材料应用中密集和渗透性低k......
介绍了红外探测器制造工艺流程,着重阐述了碲镉汞(HgCdTe)、锑化铟(InSb)红外焦平面探测器制造工去胶清洗、背面保护膜清洗、表面......
用一种顺流微波等离子干法除胶设备开发出了一种享有专利的等离子工艺,该工艺可满足后道工序中铜及低k材料应用中密集和渗透性低k......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
介绍了超光滑表面清洗的基本理论,指出了当前超光滑表面清洗中存在的问题,系统分析了现有清洗技术的原理和清洗效果,并指出清洗技......
硅抛光片清洗的目的在于清除有机物沾污、表面颗粒、金属沾污、自然氧化膜等。本文阐述了硅抛光片湿法清洗的工作原理,并对硅抛光......
闪存器件中预氧化湿法清洗的作用很重要．因为虽然它们并不像逻辑栅的尺寸那样快速地缩小．但是他们比逻辑栅需要更低的泄漏性能．通常在......
利用臭氧消毒水和淡氟氢酸清洗技术，使设备生产厂家的单晶圆旋转清洗工艺适应向小型生产线转入的应用，从而使生产周期的缩短成为可能......
The drastic shrinking of semiconductor linewidths has led to a need for new wafer cleaning strategies in the FEOL. For p......
用一种顺流微波等离子干法除胶设备开发出了一种享有专利的等离子工艺,该工艺可满足后道工序中铜及低k材料应用中密集和渗透性低k......
介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去......
在锗加工工艺中,干燥技术对于加工的成品率和抛光片表面质量有着重要的影响。介绍了异丙醇脱水干燥技术的原理,分析了异丙醇脱水技......
从该厂的实际出发，对高炉煤气湿法清洗系统中如何选择串联文氏管煤气洗涤器进行了阐述，并针对设计及应用过程中所暴露的主要问题的解......
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱（XRF）、扫描电镜（SEM）等检......
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分析表明,微电子产品在制造过程中由于污染物的影响,降低了合格率,需要进行有效的清洗。阐述微电子工艺中的湿法清洗、干法清洗技......
作为半导体工业发展最早的关键工艺技术之一,湿法处理工艺在过去的半个多世纪里取得了长远的发展和深刻的革新。常规的湿法处理工......
CPA(Chirped Pulse Amplification)技术促进了高能激光器快速发展,多层介质膜脉宽压缩光栅(PCG)是CPA系统核心元件,PCG抗激光损伤......
无氧铜器件作为微波功率放大以及超导器件的核心器件,由于信号传输需求,封装环节经常在真空环境中进行,故如何对无氧铜电真空器件......
用一种顺流微波等离子干法除胶设备开发出了一种享有专利的等离子工艺,该工艺可满足后道工序中铜及低k材料应用中密集和渗透性低k......
LED被认为是下一代主要照明工具,其以高质量的衬底基片外延GaN层,目前主要用化学机械抛光后的蓝宝石晶片作为衬底,但抛光后的衬底......
随着对新化学品和集成方案了解的加深,我们不但可以减轻介电层孔隙率增加引起的负担还可以降低工艺对超低k薄膜的损伤。......
在我国封建社会里，历代帝王为了维护自身的专治统治，形成了一套等级森严的官员封赠制度，利用它来满足官僚士大夫“上荣祖考，下及子孙”......
由于器件工艺技术的飞速发展和图形关键尺寸的不断缩小，以及新材料的引入，使得前道工艺（FEOL）和后道工艺（BEOL）中表面处理显得更为重要，从......
基于微通道板的清洗工艺,设计了清洗设备的结构,并对设备的核心部件详细说明。利用液体射流喷射实现喷淋清洗,采用液体液下喷射循......
湿法蚀刻仍被广泛地应用于当今集成电路制造领域,因其工艺可精确控制薄膜的去除量以及工艺过程中对原材料的损耗较低,在今后很长一......
对45nm及以下技术节点的逻辑器件制造来说,经过次数不断增加的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后,仍保持超浅结(USJ)的完整性非常......
<正>成立于2001年的北京华林伟业有限公司是一家专注于半导体湿法清洗腐蚀设备的本土供应商。在中国大陆半导体产业快速成长的初期......
芯片焊盘上的再结晶缺陷是引起半导体后段封测工艺中键合失效的主要原因之一。国际上已经对这一缺陷的形成有了一定的理论分析,也......
介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行......
动态随机存储器栅极侧壁硅化钨残留造成的短路成为制约提高产品良率及可靠性的瓶颈.为此,采用X射线荧光光谱(XRF)、扫描电镜(SEM)......
对于微电子工业来说在干法等离子体刻蚀步骤完成之后同样使用干法工艺清除残留聚合物是一个新兴的又倍具挑战性的应用。有几个原因......
主要分析了目前最常用的氟系药液去除干法刻蚀后存留聚合物的原理及该过程中对CD测试的影响,通过实验比较了该清洗工艺过程中关键......
在半导体制造工艺的湿法刻蚀中,用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中,热磷酸刻蚀后的......
在对现行所有不同线宽形成钴的工艺中,都会在钴淀积前做氧化层的去除以保证在后续的钴淀积能顺利完成,从而形成良好的CoSi2。但是......
金属点缺陷普遍存在于半导体制造业所采用的金属铝薄膜中。这种缺陷严重影响高清晰度的硅基液晶微显示器LCOS(Liquid Crystal On S......
