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报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电......
对0.25肌双场板结构GaNHEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaNHEMT增益的温度系数为-0.02dB/℃、饱和输出功率系数......
已成功研制出总栅宽为6.4 mm,栅长为0.35μm的GaAs功率PHEMT,其中对器件结构、栅挖槽等工艺进行了改进.两管芯合成的内匹配器件当V......
<正>4 β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导......