晶体生长速度相关论文
Tb-Dy-Fe超磁致伸缩材料是21世纪战略性功能材料.为发展该材料的民族品牌,采用了高温度梯度区熔定向凝固炉系统地研究了Tb0.3Dy0.7......
本文选择了BO-LaO-TaO-GdO-YO-(SiO,ZrO,TiO系统,引入SiO,ZrO,TiO作为基础玻璃组成,并以一定量的YbO取代TaO,GdO的实验,观察和测定......
引言自史前时代以来,单晶宝石因美丽和稀有被视为珍宝.十九世纪后期随着固态物理学研究的需要,对单晶生长的研究和应用提出了崭新......
研究了落管中Pd_(77.5)Au_6Si_(16.5)合金的过冷、生核及亚稳相的形成。在小于400μm的金属小球中发现Pd的固溶体相;在较大的金属......
晶体在溶解及生长过程中边界层的信息直接影响晶体生长速度和物质输运过程,进而影响晶体质量和生长机制。本文利用相移干涉技术建......
用加速旋转高压釜法生长了α—AlPO_4单晶。同缓慢升温法或其它非旋转水热法相比,该法在提高晶体生长速度和改善晶体透明度方面有......
我们采用重复升温法生长了大块的磷酸铝单晶,研究了不同切型的晶体生长速度,分析和观察了晶体的部分缺陷,讨论了影响晶体透明度的......
采用加入晶种的方法,在无定形相区中,研究晶体生长的规律,得出NH_4-ZSM-5沸石晶体生长符合2/3级反应的结论。考察了影响晶体生长的......
研究了挤压铸造时挤压力对宏观晶体生长速度的影响 ,给出了晶体生长速度表达式。结果表明 :挤压力对合金宏观晶体生长速度的影响除......
结晶是物理、化学、材料和环境科学等许多学科领域的一个重要现象。在液态金属中,随机密度和热起伏创造的瞬态晶簇甚至可以在高于......
利用SEM对加锑变质的铝硅共晶合金的金相及深蚀试样进行观察。研究共晶硅的平面及立体形貌,结果表明:锑可以使共晶硅的形貌由板片......
利用原子簇团跳跃理论模型,建立了动态结晶条件下的晶体生长速度微观动力学模型,指出古典连续生长(ContinuousGrowth或CG)模型仅是本模型的一个特例.理论分......
活性炭对LAP晶体生长过程中杂晶的抑制朱春城朱军郭慎满(哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨150001)RestraintofForeignCrystalsbyActivatedCabonduringtheCourseofLAPGrowthZhuChu...
Inhibition of Activated Carbon on Hyb......
无坩埚区熔法生长的无位错硅单晶中微缺陷形成的特征Э.С.法勒克维奇И.Ф.切沃勒(乌克兰国立扎波罗热大学)无位错硅单晶晶体结构的完美......
将形核率和晶体生长速度对过冷金属结晶晶粒数的影响用过冷度统一起来,建立了过冷金属结晶晶粒数随金属热力学过冷度变化的理论关......
在定向凝固条件下研究了二元Mg-Li合金共晶组织.结果表明二元Mg-Li合金共晶呈层片结构.当固液界面前沿温度梯度为120k/cm,晶体生长速度为4.4μm时,共晶相间距......
基于对ACRT-B法晶体生长时对流及传质特性的认识,提出了ACRT-B法晶体生长过程的一维传质模型得到了包括初始过渡区、稳态区及终端过渡......
在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3生长出Zn∶Fe∶LiNbO3晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Zn∶Fe∶LiNbO3位相共轭效应增强的机理。......
用悬浮区熔技术生长的无位错硅晶体中产生空位群。研究了晶体生长条件对空位群形成的影响。讨论了一些以成核模型为基础的,在拉制......
七十年代,硅单晶进入了一个新的发展阶段。一个是所谓完整晶体的质的方向,一个是所谓大容量、自动化设备方面的转折期的到来。前......
硅的微缺陷控制 1.硅晶体生长过程中微缺陷的消除 如本文第一部分所述,为了制作超大规模集成电路,必须进一步提高电路芯片的成品......
采用CZ法生长硅单晶时,其固体和熔体中的温度梯度是决定晶体生长速度的主要因素。生长速度、晶体直径和炉温三者之间存在着复杂的......
高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶......
YAG激光晶体生长技术的现状和动向1.前言YAG激光元件,1964年由Geusic,Marcos、vanUitert研制成功[1]。添加元素用4能级系统的Nd2+。由于阈值低,而且热导等物理特性优越,可稳定地获......
磷酸二氢钾(KH2PO4,KDP)晶体是一种性能优良的非线性光学材料,具有较大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值,光学均匀性好,可实现激......
用结晶温度,聚乙烯分子量,聚乙烯质量分数等参数,再用人工神经网络ANN(artificial neural network)方法以建立聚乙烯晶体生长速度(......
研究了根据酮麝香、1,3-二甲基-2,4-二硝基-5-叔丁基苯晶体生长速度的不同。从对二者均达到饱和的溶液中分离得到1,3-二甲基2,4-二硝......
本文报道用高压淬火的方法制备出了Zr_(60)Ni_(20)Al_(20)大块金属玻璃。以经典成按理论为依据,估计了压力对晶核生长速度的影响,......
<正> 一、引言激光退火是近几年发展起来的新技术.它不但能使离子注入时形成的无定型半导体表面层恢复为单晶,而且可使汽相淀积或......
根据流化床作用原理,实验得到氯化钠晶体在流化床内的生长速度分别与晶体粒径、溶液流量和过饱和度之间的关系,初步建立了氯化钠结晶......
和优质Ib型宝石级金刚石单晶生长相比,作为当今高温高压晶体生长的一种高精尖技术,优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶对合成技术提出了更......
将形核率和晶体生长速度对过冷金属结晶晶粒数的影响用过冷度统一起来,建立了过冷金属结晶晶粒数随金属热力学过冷度变化的理论关系......
从晶体生长的一般规律出发,论述了碳原子的活化速度、堆积速度、熔蚀速度以及晶体生长速度与优质金刚石生长的关系,阐述了优质金刚......
利用静电悬浮设备成功地实现了Zr50Cu50合金熔体的深过冷与凝固,并测得了在近200K的过冷度范围内的晶体生长速度.随过冷度的增加,初生......
利用有限元分析软件对为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律......
为选择合理的晶体生长速度,用改进Brigdgman法生长直径为φ19mm的HgCdTe(x=0.21)晶体过程中,对正在生长的单晶体单晶体及熔体进行淬火,以观察其固液界面形态。初步......
和优质Ib型宝石级金刚石单晶生长相比,作为当今高温高压晶体生长的一种高精尖技术,优质Ⅱa型宝石级金刚石单晶对合成技术提出了更......