异质结二极管相关论文
硅基功率器件在过去几十年里快速发展,产品不断迭代,但是这些器件正在接近由硅的基本材料所限定的性能极限,所以迫切需要一种新型......
随着现代工业的进步与功率半导体技术的发展,碳化硅（SiC）功率器件作为“新起之秀”受到越来越多的关注,被称为是推进新能源消费革命......
学位
研究了低压化学气相淀积方法制备的 n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管 (HJD)在 30 0～ 4 80 K高温下的电流密度 -电压 (J- V)特......
在光电器件技术领域,“透明电子”或“隐形电子”器件的研究已成为热点。以CuAlO2(CAO)为代表的Cu+基透明导电氧化物(TCO)薄膜与n......
用纳米硅 (nc_Si∶H)薄膜制成了纳米硅 单晶硅 (nc_Si∶H c_Si)异质结二极管 ,对nc_Si∶H c_Si异质结的特性进行了研究 ,它具有很......
利用非平衡载流子的连续性方程,结合GaAs/GaSb异质结器件的特点,运用了大注入情况下的边界条件,对载流子的复合过程进行了数值分析......
以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线......
利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝（AlN：Mg）薄膜、铝掺杂的氧化锌（ZnO：Al或AZO）薄膜,成功制备AlN：Mg/ZnO：Al透明异......
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影......
采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管。实验结果表明,PN结展......
<正>利用能谷间电子转移效应的Gunn二极管问世已二十余年,至今仍是微波,尤其是毫米波领域中最主要的有源器件之一.但是传统的Gunn......
期刊
研究了低压化学气相淀积方法制备的n—3C—SiC／p—Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度—电压(J—V)特性．室温下HJD......
利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc－Si:H)，形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C－V和J－V测试研究了二极管......
作为第三代半导体,ZnO被广泛认为是最有希望制备短波长光电器件如紫外发光二极管的材料之一。这是基于它独特的材料性质：它是一种常......
本文旨在运用计算机建模、仿真技术进行研究宽带隙二极管的正向恢复特性特性、正向I-V特性,以及运用计算机技术设计一款适用、精确......
新型半导体器件随着芯片行业的巨大需求日益层出不穷,其中异质结器件由于其独特的物理特性得到了广泛的应用。如今半导体器件的研......
