填隙相关论文
在电碳工业中,使用浸渍工艺已相当普遍,并将其作为石墨材料填隙补强的重要方法之一,特别在旋转机械所需高强度石墨材料的生产过程......
目前我们对照相过程机理的考虑,基本上仍然受1938年提出的Mott和Gurney理论的支配。这个理论所以能取得成功和经久不衰是由于在当......
本文概要地介绍了填隙碎石的概念,采用填隙碎石的优越性以及填隙碎石的现场施工方法。同时还列示了一些施工中应注意的事项。
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本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发......
低熔点钛基填隙合金用于钛硬焊南朝鲜工业技术院用显微技术，电子探测显微分析，张力试验，疲劳试验和盐浸试验等手段研究了由新近研制的......
综述了用于超大规模集成电路中互连介质的氟化非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｆ）的制备、化学键结构、介电常数与热稳定性、填隙能力、粘附性、热导率等性能......
潜影形成的Mitchell浓集理论是在1957年至1958年间首次提出的,距今刚好三十年。Mitchell理论与Gurney-Mott和Hamilton理论的主要......
利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文......
从 Buddington 和 Lindsley(1964)发表了他们的MtUsp_(ss)-HemIlm_(ss)地质温度计和地质压力计以来,已有很多文章描述了深成岩中......
采用酶解沉降法将碘含量为6mol％的多分散的溴碘化银乳剂分成9个级份,测量各个级份的乳剂在不同温度下的离子电导率,求出它们的离子......
对Ag_2S-Cu_2S-PbS-Bi_2S_3四元体系内铋硫盐矿物的类质同象取代类型的研究表明,它共有四种:配对取代Ag(Cu)+Bi=2Pb,简单取代Ag=Cu......
基于密度泛函理论,利用局域密度近似的第一性原理平面波赝势方法,对掺K以及含有氢填隙(Hi)、氧空位(VO)、锌填隙(Zni)和锌空位(VZn......
黑龙江省寒地建筑科学研究院研制成功的聚酯水泥粘结剂主要用于混凝土构件的修复、填隙、表面处理、新旧混凝土和砂浆的界面修补......
经久耐用的多功能有机硅填隙料使得设计师和建筑专家们设计高级玻璃窗结构急剧提高现代建筑设计成为可能。由于新型的有机硅材料......
用自行研制的脑胶质瘤填隙放疗囊,以~(125)I作内照射源,对28例经手术切除后的脑胶质瘤患者,行术后填隙近距离放疗(Interstitial br......
在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格......
本文研究了用均相共沉淀法合成氧化铝陶瓷粉末的同时合成氧化镁、氧化钇等掺杂氧化物，发现在掺杂量不大时，同时合成的掺杂氧化物以填......
英国研制出一种气垫式包装材料商品名为“Ａｉｒ－Ｃａｐ”，它是由两层聚乙烯组成，其中有一层聚乙烯制成气泡状。由于聚乙烯是透气的，在气泡的内面加......
许多以前研究稳定的超低碳钢(ULC)——即含C≈0.003％的非填隙钢(IF)的工作者认为:可以把这类钢看作是含碳量为C≈0.04-0.10％的高强......
新化合物ＫＳｍ（ＩＩ）Ｓｍ（ＩＩＩ）Ｆ＿６吴国庆，郭春红，贯军（北京师范大学化学系，１００８７５）已知的钐（ＩＩ）的化合物的种类很少，除ＳｍＦ＿２外，其他已知的钐（ＩＩＩ）化合物均极不稳定，在含水蒸气的空气里很......
用人工神经网络方法和化学键参数方法相结合,总结无机化合物若干规律,训练后的网络可作为知识表达方式用于化学专家系统.我们用这......
用钾还原Eu_(0.5)La_(0.5)F_3合成了KEuLaF_6,新化合物属于UCl_3的填隙结构,gagarinite和NaNdF_4的相关型,空间群P(?),三方晶系,点......
本文将遗传程序设计用于金属间化合物三元填隙Ｄ８８结构形成条件的判别．对６５种化合物的研究结果表明，该方法性能良好，可望成为化合物结构分析......
用Ｃｏ２（ＣＯ）８与含硫含磷杂环配体ＣｌＰＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ↓反应，合成得到含有半填隙μ６－Ｐ原子的新的六核簇Ｃｏ６（μ６－Ｐ）（μ－ＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ）（μ－ＰＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ↓）（ＣＯ）１２１，同时，得到三核簇Ｃｏ３（μ－ＰＳＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓ↓）３（ＣＯ）６２，通过元素分析和波谱表征确定了二个......
介绍了一种独特而有效的合成新结构和新成键的金属簇合物的“劈开组合法”：利用含有多种可配原子（Ｃ、Ｎ或Ｐ、Ｓ）的前配体与二元金属羰合物的......
采用能带论中线性Muffin－tin轨道方法，计算了NdFe(10)M2（M=Ti，V，Cr，Mn，Mo，W）及渗N和C原子后材料的电子结构，得到了相应的总体态密度（TDOS）和各......
采用Ｐｅｃｈｉｎｉ方法合成了Ｌａ２ＮｉＯ４＋δ粉体，通过ＸＲＤ，Ｏ２ＴＰＤ，ＴＧ和ＸＰＳ等对其物相、氧非计量以及表面状态进行了表征；制备了Ｌａ２ＮｉＯ４＋δ致密透氧膜并考察了其透氧性能．发现其非计量氧......
本文介绍Wang CO—11磁带机机械调整方法。
This article describes Wang CO-11 tape drive mechanical adjustment method.......
将掺磷的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶样品放在不同汞分压中,使其在450℃到600℃温度范围内退火。待样品冷却到室温后测量霍耳效应和迁......
本文说明了GaAs的衬底制备对于器件的重要性;分析了过去的抛光方法的缺点,提出了“填隙式”抛光的现象和成因,介绍了我们所作的若......
本文用透射电子显微镜研究了经氩离子束磨削过的Cd_(0.2)Hg_(0.8)Te的缺陷结构。当磨削束流密度为600μAcm~(-2)时,会产生高密度的......
以10~(10)～10~(16)/cm~2的剂量向硅晶体中注入氮。700℃热退火后在1.1223eV处(A线)观察到光致发光,而这种效应以前仅在体掺杂晶体中......
硅片中氧的最佳浓度可改善其机械强度和本征吸除性能。
The optimal concentration of oxygen in the wafer improves its mechan......
本文研究了大通量辐照(10~(12)n/cm~2)的NTD CZ在750—1200℃范围内退火的行为。发现在该温度区间内会产生高浓度的“中照施主”,......
比较了典型双极、CMOS和CCD工艺中的内吸除。由于这三种工艺涉及到不同的处理温度、沾污程度和对硅片翘曲的敏感程度,直接的比较相......
本文研究了注入硅离子对离子注入硼的反常瞬时扩散的影响,发现硅离子剂量远低于使晶格无序化必需的剂量,并且明显地减小随后注入的......
三、硅中氧的热沉淀理论硅中氧的热沉淀行为实质上是固溶体中固态-固态相变的一种形式,它可用固体内一个新固相的成核和生长特性......
在微电子器件生产的过程中,焊接占了相当重要的地位,它不仅消耗了大量的劳动力,而且,对各种器件的工作可靠性影响极大。近年来,有......
用固态再结晶法生长了掺Sb-Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体。通过对掺杂晶片不同条件的热处理,促使晶体内的缺陷状态发生变化,并用热处理......
本文在Read早期提出的螺位错之间交割模型的基础上,综合描述了各种符号的螺位错艾割以后割阶的形成特征和运动特点;分析了位错交割......
