垂直结构LED相关论文
GaN基LED具有节能、环保、光效高、体积小、寿命长等诸多优点,被认为是新一代最有发展前景的照明光源之一。GaN基垂直结构LED解决......
运用键合技术及激光剥离技术,我们可以去除导电导热性差的蓝宝石并将GaN薄膜转移到Ni,Si,Cu等导电导热性好的衬底上并制作出GaN基......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了一系列具有不同p层厚度(d)的InGaN/GaN蓝光LEDl薄膜，并制备成垂直结构的发......
发光二极管(简称LED)是一种固态半导体器件,它可以直接把电能转化为光能。垂直结构LED作为LED中的一种,因其独特的结构优势,具有散......
GaN作为一种宽禁带半导体材料有着优异的物理和化学性质,在混合不同比例的其他金属,如In或者A1后,其禁带宽度在0.7～6.2eV之间连续可......
垂直结构GaN基LED因为具有良好的散热性能和均匀的电流扩展,已成为了GaN基LED的研究热点。然而,垂直结构LED的制备工艺复杂且不成......
根据光学薄膜原理计算了GaN／Ti／Ag、GaN／Al和GaN／Ni／Au／Ti／Ag、GaN／Ni／Au／Al多层电极结构的反射率，得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提......
LED以其节能、环保、长寿命等诸多优点,迅速占领了指示、显示、照明等领域,特别是以GaN基为主的LED照明光源,在近年来发展迅速,掀......
GaN基垂直结构LED具有耗电量小、寿命长等优点,在通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明中被广泛应用。GaN基垂直结构LED是半导......
近年来,GaN基半导体器件尤其是InGaN/GaN LED在薄膜生长以及光电器件制备等方面取得多项重大技术突破,已广泛用于各种显示和背光等......
在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引......
与Ga N基正装结构发光二极管(Light Emitting Diode,LEDs)芯片相比,Ga N基垂直结构LED芯片解决了电流密度过大及导致散热不佳等问......
研究了1.16 mm GaN基蓝光芯片的垂直封装结构LED和倒装封装结构LED在驱动电流达到和超过工作电流350mA的发光特性和变化趋势。随着......
采用真空蒸镀法制备了垂直结构LED Ni/Sn合金背金层,通过扫描电子显微镜、X射线衍射对薄膜的物相和微观结构进行了表征,同时还研究......
