分子束外延法相关论文
分子束外延是制备高质量二维材料常用的方法，但是目前用MBE法制备石墨烯的报道还非常少。Fumihiko Maeda等曾尝试用气态MBE在绝缘衬......
由元素周期表中Ⅲ族元素和Ⅴ族元素所组成的半导体称为Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体。其中,研究较多的是GaAs、GaP、InP和InSb。GaAs是目......
采用磁控溅射法制备了Nd Fe B/Nd 2组薄膜,经650℃退火处理后,对样品进行了XRD和VSM测试分析。结果表明:对于Mo/Nd/Nd Fe B/Nd/Mo......
用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得......
制造第二代薄膜固体激光器的研制途径日本东北大学金属材料研究所与创立基础研究小组共同研究，采用分子束外延法成功地生长优质掺Ｅｒ’......
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定......
第一部分:红外探测器材料的生长和特性一、探测器材料生长1.(001)HgTe/Hg_(1-x)Te超晶格的分子束外延生长和光学特性(特邀文章)(C......
电子材料月刊(J.of Electronic Materials)1996年8月刊登1995年美国举办的关于HgCdTe和其它红外材料的物理和化学性质的专题研讨会......
用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＋／ｎＳｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电......
本文报道了用低压ＭＯＶＰＥ和ＲＦ－分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的ＧａＮ生长。以“双Ａｌ单层”模型讨论了用ＭＯＶＰＥ和ＭＢＥ法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ的极性选择的......
用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe Cd0 .65Zn0 .3 5Se超晶格结构。利用X射线衍射 (XRD)、77K下变密度激发的光致发光光谱和变......
1 SiGe/Si基纳米结构对含有Ge和SiGe纳米岛（量子点）的硅基纳米结构的兴趣日益增长，可用它们新近发现的光敏性质和光发射性质来解释，特......
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱......
LaTiO3(LTO)作为Mott绝缘体，其输运特性引起人们的广泛关注，尤其是近来与SrTiO3界面所形成的二维电子气更是具有重要的科学研究......
1.通产省从1991年开始实施一项新的大型项目“微机械技术”的10年研究开发计划。该计划总投资为250亿日元。主要研究开发内容为:(......
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性。通过控制反应时的生长参数,制......
第二届薄膜物理与应用国际会议介绍由中国物理学会和上海市物理学会主办，上海市物理学会承办的第二届薄膜物理与应用国际会议于１９９４年４月......
简要介绍了非线性光学薄膜制备技术的进展，分析比较了无定形膜、极化取向膜、ＬＢ膜及单晶膜在制备与应用方面的优缺点。
The progress......
本文概述了半导体表面及界面原子几何结构的现代测定方法,论述了具有闪锌矿结构的复合半导体(110)面上表面结构与化学键的关系。以......
1990年1月29日,美国贝尔实验室的科学家展出了他们研制出的世界上第一台数字光计算机。这一事件被著名科学家,贝尔实验室信息系统......
蓝绿半导体发光二级管和激光二极管具有极大的潜在应用价值，是各国竞相开发的高科技项目。从1991年美国3M公司报道制备出了第一只77......
与金属有机化学蒸气沉积法相比,分子束外延法尽管有很多潜在的优点,但是直到最近,一直认为分子束外延法不适合生产以InGaN为基础的......
请下载后查看，本文暂不支持在线获取查看简介。
Please download to view, this article does not support online access to view......
制作并试验了用分子束外延法生长的双异质结AlGaAs/GaAs双结晶体管(DHBJT)。掺入缓变基极-集电极结改进了DHBJT的dc特性,它优于用......
本文报导了在分子束外延(MBE)生长的沟道层上制作的“T”形Ti/W/Au栅GaAs肖特基势垒场效应晶体管的噪声性能。标称栅长约为0.7μm,......
采用直接描绘电子束刻蚀法制造了用于低噪声极高频(EHF)放大器的亚半微米栅长的高电子迁移率晶体管。调制掺杂的外延结构是用分子......
用分子束外延法制成了具有Au/ZnSe:Mn/n-Ge结构的电致发光单晶膜,最低起亮电压为6V。在直流12.8V和14.7A/cm~2的驱动下发光亮度为7......
分子束外延的特点及在场效应晶体管中的应用分子束外延(MBE)自问世以来,已经过了六年,现在已由萌芽初期发展到成熟阶段。分子束外......
本文用耗尽层近似研究了用界面异型掺杂层提高肖特基二极管势垒的方法.给出了势垒高度作为掺杂层参数的函数的公式和相应的数值计......
单晶薄膜在电子学领域里的必要性是越来越明显了。例如对于现在使用的半导体器件,如能采用优质单晶薄膜,其性能将会得到很大的改......
微波和电光工业的发展需要越来越薄的平面外延结构,这促进了人们对晶体生长的分子束外延技术进行深入的研究。现在,用分子束外延的......
本文描述了使用 Be 离子注入和湿化学腐蚀法制作 lnGaAs 亚微米栅JFET 的工艺过程。用这种工艺可以形成小至0.5μm 的栅长。在分子......
在用分子束外延法(MBE)生长Hg_(1-x)Cd_xTe合金系时要特别重视这种材料的下述特性:(1) 在150℃以上,组分值x为0.2～0.3的Hg_(1-x)Cd......
据报导,日本电电通讯研究所试制成一种f_(max)可达40GHz以上的异质结双极晶体管.这种双极晶体管的结构是:采用分子束外延法形成5层......
美国电报电话公司制作出由GaAs异质结构高速FET(所谓HEMT)与光导型探测器组成的光通信用单片光IC接收机。误码率为10~(-9)时的最......
本文综述国外近几年来利用MBE(分子束外延法)生长MCT薄膜及其衬底膜的进展、优点、前景,供我们研究MCT材料的借鉴。
In this pape......
1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)......
最近国外成功地用分子束外延法在Si衬底上生长出高质量的GaAs多晶.他们在3英寸Si衬底上研制出基极调制掺杂GaAs FETs(MODFETs),MES......
据日本《Semiconductor World》1991年第8期报道,日本冲电气工业公司已开发成采用GaAs p型埋层MESFET(BP-MESFET)的1/8动态型分频......
四、在MBE HgCdTe中砷扩散的p~+-n同质结通过在HgCdTe外延层中扩散砷形成p~+-n同质结。砷在HgCdTe中是p型浅受主。在预要求的平衡......
