分子束外延法制备电流注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱异质结构激光器

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本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱(MQW)激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属于n=1的电子-轻空穴(1e-lh)约束粒子跃迁的受激辐射。在阈值以上,包含n=1的电子-重空穴跃迁(1e-hh)的受激辐射变为优势。对于这些大面积MQW激光器,还观察到单纵模运转。热沉温度在8到100℃之间,1e-hh跃迁的受激电流阈值Ith随温度以指数形式:Ith∝exp(T/T0)变化,其中T0=230°K。
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