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[学位论文] 作者:郑清洪,, 来源:厦门大学 年份:2009
本论文结合科研项目,针对Ⅲ-Ⅴ族氮化物中存在的极化电场,自洽求解薛定谔方程和泊松方程。提出了利用及消除极化电场的方法,为GaN基LED工艺优化提供理论基础,并通过实验降低p...
[期刊论文] 作者:郑清洪, 来源:管理与效益 年份:1992
[期刊论文] 作者:郑清洪, 来源:机械工业标准化与质量 年份:2004
为了提高企业产品竞争力,确保机械产品的安全性质量,厦工集团三明重型机器有限公司于2001年率先在同行业中通过了中国机械产品安全认证.公司在开展机械产品安全认证的活动中,...
[期刊论文] 作者:郑清洪, 来源:价值工程 年份:1989
一、价值工程对象的选择。我厂目前生产的产品有三大类33个品种,其中老产品占80%,12~15吨三轮压路机居老产品之首,也是我厂目前唯一的考核产品。从生产角度看,我厂生产压路机已...
[学位论文] 作者:郑清洪, 来源:中国科学院大学 年份:2014
日盲紫外探测器在导弹预警、火灾检测和环境紫外线检测等领域有越来越重要的应用,受到了人们的广泛关注。特别在超高压、特高压线路污闪、电晕的检测应用上日益受到重视。以氮......
[期刊论文] 作者:郑清洪,黄瑾, 来源:科教文汇 年份:2017
针对大学生对新专业认识不够全面、学习生涯规划存在困惑的问题,学院组织不同学习阶段新能源科学与工程专业学生代表组成专业知识实践队伍,带队到多家新能源相关企业实践学习...
[会议论文] 作者:黄丰, 郑清洪,, 来源: 年份:2004
本文利用反应磁控溅射方法在晶格匹配的ZnO衬底上外延生长出单一六方相的Mg0.49Zn0.51O薄膜,并制备了金属-半导体-金属结构的日盲型探测器。计算和实验结果均表明厚膜MgZ...
[期刊论文] 作者:黄瑾,郑清洪,, 来源:半导体技术 年份:2016
材料纯度、生长工艺、退火条件均会影响半导体材料中的杂质或缺陷能级状态,如何精确测量半导体中的能级位置、俘获截面及浓度是进行材料物理研究、制备高性能电子器件的关键...
[期刊论文] 作者:黄瑾,郑清洪,, 来源:福建分析测试 年份:2016
采用辉光放电质谱法,直接测定高纯Hf中的痕量元素。通过对仪器调谐,优化了工作参数,并对测试过程中产生的多原子离子干扰进行仔细考察,得到较为理想的测试结果。当元素含量在...
[会议论文] 作者:郑清洪,黄丰, 来源:第五届届全国氧化锌学术会议 年份:2011
  本文利用反应磁控溅射方法在晶格匹配的ZnO衬底上外延生长出单一六方相的Mg0.49Zn0.51O薄膜,并制备了金属-半导体-金属结构的日盲型探测器.计算和实验结果均表明厚膜MgZn...
[会议论文] 作者:郑清洪,黄丰, 来源:第十三届全国固体薄膜学术会议 年份:2012
  利用自主搭建的磁控溅射系统在氧化镁,蓝宝石和石英衬底上外延生长了Mg0.50Zn0.50O 薄膜.薄膜中Mg 组份与衬底关系不大,都是50%.X射线衍射测试表明Mg0.50Zn0.50O 薄膜的晶格...
[期刊论文] 作者:黄瑾,潘丹梅,郑清洪,, 来源:中国测试 年份:2017
利用辉光放电质谱仪(GDMS)对铝掺杂的氧化锌(AZO)靶材中的常微量元素及其深度分布进行分析。首先考察AZO样品中的元素和Ar、H、O、N等气体元素形成的多原子离子干扰。其次利用GDM......
[期刊论文] 作者:黄瑾,郑清洪,刘宝林, 来源:光电子.激光 年份:2008
利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了......
[期刊论文] 作者:黄瑾,郭斌斌,郑清洪,, 来源:分析试验室 年份:2016
利用辉光放电质谱仪(GDMS)一次性直接测定ITO靶材中的主体元素和痕量元素。首先考察了ITO样品中的元素和Ar,H,O,N等气体元素形成的多原子离子干扰,利用X射线光电子能谱确定氧...
[期刊论文] 作者:黄瑾,郑清洪,刘宝林,, 来源:光电子.激光 年份:2008
利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报...
[会议论文] 作者:黄瑾,郑清洪,刘宝林, 来源:第十四届全国凝聚态光学性质学术研讨会(OPCM'2008) 年份:2008
本文通过激光剥离技术,实现大面积GaN LED激光剥离,而且完整的保留了蓝宝石衬底,并且在剥离后的衬底上重新生长GaN基LED器件结构外延薄膜,并对其进行对比研究。...
[期刊论文] 作者:郑清洪,刘宝林,张保平,, 来源:电子器件 年份:2008
影响GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半导体和空气界面处的全反射。根据实际芯片建立LED模型,利用蒙特卡罗方法进行光线追迹模拟,分析了光子的主要损耗对出光效率...
[期刊论文] 作者:郑清洪,尹以安,黄瑾,刘宝林,, 来源:半导体光电 年份:2009
提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三...
[期刊论文] 作者:刘茜, 李顺, 李建国, 郑清洪, 欧阳新华, 曹石林, 黄, 来源:中国造纸 年份:2004
采用醋酸锌、乙醇和乙二醇甲醚比例为1 g∶200μL∶10 mL配制ZnO前驱体溶液,然后将其旋涂在湿纤维素膜表面,进一步通过退火处理获得性能优异的纤维素/ZnO复合膜,并以纤维素/Z...
[期刊论文] 作者:刘茜, 李顺, 李建国, 郑清洪, 欧阳新华, 曹石林, 黄六莲, 来源:中国造纸 年份:2019
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